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IMBG120R034M2H

Marking：12M2H034；Package：PG-TO263-7-U01；CoolSiC? 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET

Features ?VDSS=1200VatTvj=25°C ?IDDC=43AatTC=100°C ?RDS(on)=34mΩatVGS=18V,Tvj=25°C ?Verylowswitchinglosses ?OverloadoperationuptoTvj=200°C ?Shortcircuitwithstandtime2μs ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V ?Robustagainstparasit

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IMZC120R034M2H

Marking：12M2H034；Package：PG-TO247-4-U07；CoolSiC? 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

Features ?VDSS=1200VatTvj=25°C ?IDDC=39AatTC=100°C ?RDS(on)=34mΩatVGS=18V,Tvj=25°C ?Verylowswitchinglosses ?OverloadoperationuptoTvj=200°C ?Shortcircuitwithstandtime2μs ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V ?Robustagainstparasit

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多12M2H034供應(yīng)商 更新時間2025-3-10 15:00:00

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