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BFP193TW

SiliconNPNPlanarRFTransistor

Features ?Lownoisefigure ?HightransitionfrequencyfT=8GHz ?Excellentlargesignalbehaviour ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications ??Forlownoiseandhighgainapplicationssuchaspoweramplifiersupto2GHzand

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

BFP193TW

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BFP193W

NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHzForlinearbroadbandamplifiers)

NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz F=1.3dBat900MHz

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BFP193W

NPNSiliconRFTransistor

NPNSiliconRFTransistor* ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz,F=1dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)package1) ?QualifiedaccordingAECQ101 *Shorttermdescription

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFP193W

NPNSiliconRFTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFP193W

LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor

LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz,NFmin=1dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)package ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFQ193

NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHzForlinearbroadbandamplifiers)

NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=7.5GHz F=1.3dBat900MHz

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BFR193

NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHzForlinearbroadbandamplifiers)

NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHzF=1.3dBat900MHz

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BFR193

NPNSiliconRFTransistor

NPNBipolarRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz,NFmin=1dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)package ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available

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InfineonInfineon Technologies AG

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    193T

  • 制造商：

    Hammond Manufacturing

  • 類別：

    電感器，線圈，扼流圈 > 固定電感器

  • 系列：

    193

  • 包裝：

    散裝

  • 容差：

    ±15%

  • 屏蔽：

    無屏蔽

  • DC 電阻 (DCR)：

    700 毫歐

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    非標準

  • 大小 / 尺寸：

    2.500" 長 x 2.750" 寬（63.50mm x 69.85mm）

  • 高度 - 安裝（最大值）：

    3.060"（77.72mm）

  • 描述：

    FIXED IND 50MH 2A 700 MOHM CHASS

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Hammond
2020+
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原裝正品現(xiàn)貨供應(yīng)
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2022+
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Weidmueller
21+
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全新原裝鄙視假貨15118075546
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