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2N3904RLRM	文件：98.77 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Transistors(NPN Silicon) GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features ?Pb?FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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2N3904RLRM	文件：183.58 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
2N3904RLRMG	文件：236.45 Kbytes Page：10 Pages	General Purpose Transistors Features ?Pb?FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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2N3904RLRMG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）封裝/外殼：TO-226-3，TO-92-3 長基體（成形引線）類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS NPN 40V 0.2A TO92	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
2N3904RLRP	文件：85.66 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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2N3904S	文件：448.76 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES ?LowLeakageCurrent :ICEX=50nA(Max.),IBL=50nA(Max.) @VCE=30V,VEB=3V. ?ExcellentDCCurrentGainLinearity. ?LowSaturationVoltage :VCE(sat)=0.3V(Max.)@IC=50mA,IB=5mA. ?LowCollectorOutputCapacitance	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
2N3904S	文件：416 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
2N3904S	文件：232.66 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistor	FS First Silicon Co., Ltd	FS
2N3904SC	文件：706.4 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES ?LowLeakageCurrent :ICEX=50nA(Max.),IBL=50nA(Max.) @VCE=30V,VEB=3V. ?ExcellentDCCurrentGainLinearity. ?LowSaturationVoltage :VCE(sat)=0.3V(Max.)@IC=50mA,IB=5mA. ?Complementaryto2N3906SC.	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
2N3904TA	文件：329.69 Kbytes Page：9 Pages	NPNGeneral-PurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedasageneral?purposeamplifierandswitch. Theusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchandto 100MHzasanamplifier.	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
2N3904RLRM
功能描述：
兩極晶體管 - BJT 200mA 60V NPN
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
- 6 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
100 A
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2N3904RLRM	MOT	24+		1821		詢價(jià)
深圳市振宏微科技有限公司	2N3904RLRM	ONSEMI	23+	NA	1267	專做原裝正品,假一罰百!	詢價(jià)
深圳市恒科翔業(yè)電子有限公司	2N3904RLRM	ON/安森美	22+		24000	原裝正品現(xiàn)貨,實(shí)單可談,量大價(jià)優(yōu)	詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	2N3904RLRMG	ON	23+	TO-92	7750	全新原裝優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
深圳市近平電子有限公司	2N3904RLRMG	Onsemi	10+	MA	6000	絕對(duì)原裝自己現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市吉銀科技有限公司	2N3904RLRMG	ONN	1535+		2000		詢價(jià)
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更多2N3904RLRM供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-11 10:50:00

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