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2N5551

NPNEPITAXIALPLANARSILICONHIGHVOLTAGETRANSISTOR

CDIL

Continental Device India Limited

2N5551

TRANSISTOR(NPN)

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳實業(yè)深圳市永而佳實業(yè)有限公司

2N5551

SERIES2NTRANSISTORS

SERIES2NTRANSISTORS

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

2N5551

NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR

Description The2N5551isdesignedforamplifiertransistor. Features ?ComplementstoPNPType2N5401. ?HighCollector-EmitterBreakdownVoltage.VCEO>160V(@IC=1mA)

TGS

Tiger Electronic Co.,Ltd

2N5551

NPNSiliconTransistor

Descriptions ?Generalpurposeamplifier ?Highvoltageapplication Features ?Highcollectorbreakdownvoltage: VCBO=180V,VCEO=160V ?Lowcollectorsaturationvoltage: VCE(sat)=0.5V(MAX.) ?Complementarypairwith2N5401

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光電子集團

2N5551

TO-92Plastic-EncapsulateTransistors

Features ?Pb?FreePackagesareAvailable* ?DeviceMarking:DeviceType,e.g.,2N5550,DateCode

DAYADaya Electric Group Co., Ltd.

大亞電器集團大亞電器集團有限公司

2N5551

NPNSiliconGeneralPurposeTransistor

FEATURES *Switchingandamplificationinhighvoltage *Lowcurrent(max.600mA) *Highvoltage(max.180v)

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2N5551

mplifierTransistors(NPNSilicon)

AmplifierTransistors NPNSilicon Features ?Pb?FreePackagesareAvailable*

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

2N5551

GeneralPurposeSi-EpitaxialPlanarTransistors

?Powerdissipation625mW ?PlasticcaseTO-92 ?Weightapprox.0.18g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedinammopack

Diotec

Diotec Semiconductor

2N5551

TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR

Description Designedforgeneralpurposeamplifierapplications.

DCCOM

Dc Components

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FAIRCHILD/仙童
92
09
333
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ONSemiconductor
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進口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)
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原裝進口特價供應(yīng)QQ1304306553更多詳細咨詢庫存
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更多2N5551TA其他IC供應(yīng)商 更新時間2025-1-24 17:30:00

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