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Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3package ·Lowcollectorsaturationvoltage ·Highpowerdissipations APPLICATIONS ·Designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | ||
Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3package ·Low-collectoremittersaturationvoltage APPLICATIONS ·Designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications | JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 錦美電子泉州錦美電子有限公司 | JMNIC | ||
Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3package ·Lowcollectorsaturationvoltage ·Highpowerdissipations APPLICATIONS ·Designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ?Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=80V(Min) ?LowSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=5A ?ExcellentSafeOperatingArea APPLICATIONS ?Designedforuseinhighpoweraudioamplifierapplicationsandhighvoltageswitchingregulatorcircuits. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ?Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=80V(Min) ?LowSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=5A ?ExcellentSafeOperatingArea APPLICATIONS ?Designedforuseinhighpoweraudioamplifierapplicationsandhighvoltageswitchingregulatorcircuits. | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | ||
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Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ?Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=70V(Min) ?LowSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=5A ?ExcellentSafeOperatingArea APPLICATIONS ?Designedforuseinhighpoweraudioamplifierapplicationsandhighvoltageswitchingregulatorcircuits. | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | ||
Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ?Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEo(sus)=80V(Min) ?LowSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.0V(Max)@lc=5A ?ExcellentSafeOperatingArea APPLICATIONS ?Designedforuseinhighpoweraudioamplifierapplicationsandhighvoltageswitchingregulatorcircuits. | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | ||
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Silicon NPN Power Transistor | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | ||
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package | SEME-LAB Seme LAB | SEME-LAB | ||
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晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
開關(guān)管 （S）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
80V
- 最大電流允許值：
15A
- 最大工作頻率：
>4MHZ
- 引腳數(shù)：
2
- 可代換的型號：
BD315,BD545B,BDX50,BDY58,BDY77,2N3772,2N3773,2N5629,2N5630,2N5631,2N6259,3DD68C,
- 最大耗散功率：
150W
- 放大倍數(shù)：
β>20
- 圖片代號：
E-44
- vtest：
80
- htest：
4000100
- atest：
15
- wtest：
150
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
2N5970
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
NPN
- 工作溫度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-204AA，TO-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-204AD（TO-3）
- 描述：
POWER BJT
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-3 |
4 |
詢價(jià) | ||||
1738+ |
TO-3 |
8529 |
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十! |
詢價(jià) | |||
CHINA |
22+ |
TO-3 |
640 |
航宇科工半導(dǎo)體-央企合格優(yōu)秀供方! |
詢價(jià) | ||
24+ |
N/A |
56000 |
一級代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
Microchip Technology |
24+ |
TO-204AA TO-3 |
9350 |
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證 |
詢價(jià) | ||
ISC |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) | ||
23+ |
TO-3 |
28888 |
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道?？商峁┐罅繋齑?詳 |
詢價(jià) | |||
MOTOROLA |
24+ |
CAN3 |
1200 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
MOTOROLA |
專業(yè)鐵帽 |
CAN3 |
1200 |
原裝鐵帽專營,代理渠道量大可訂貨 |
詢價(jià) | ||
MOTOROLA/摩托羅拉 |
專業(yè)鐵帽 |
CAN3 |
67500 |
鐵帽原裝主營-可開原型號增稅票 |
詢價(jià) |
