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2N6051 | POWER TRANSISTORS(12A,150W) DARLINGTON12AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS150WATTS ...designedlorgeneral-purposepoweramplifierandlowfrequencyswitchingapplications FEATURES: *MonolithicConstructionwithButt-inBase-EmitterShuntResistors. *HighDCCurrentGain- | MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司 | MOSPEC | |
2N6051 | Power Transistors PowerTransistors | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商 | ETC | |
2N6051 | PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR PNPDARLINGTONPOWERSILICONTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/501 | MicrelMicrel Semiconductor 麥瑞半導(dǎo)體 | Micrel | |
2N6051 | PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR PNPDARLINGTONPOWERSILICONTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/501 | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 | Microsemi | |
2N6051 | Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 BipolarPNPDeviceinaHermeticallysealedTO3MetalPackage. BipolarPNPDevice. VCEO=80V IC=12A | SEME-LAB Seme LAB | SEME-LAB | |
2N6051 | DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON-POWER TRANSISTORS DARLINGTON12AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS150WATTS | bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半導(dǎo)體公司 | boca | |
2N6051 | POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS The2N6050,2N6051and2N6052aresiliconepitaxial-basetransistorsinmonolithicDarlingtonconfigurationmountedinJedecTO-3metalcase. Theyareintededforuseinpowerlinearandlowfrequencyswitchingapplications. ThecomplementaryNPNtypesar | COMSET Comset Semiconductor | COMSET | |
2N6051 | DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON-POWER TRANSISTORS DARLINGTON12AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS150WATTS ...designedlorgeneral-purposepoweramplifierandlowfrequencyswitchingapplications FEATURES: *MonolithicConstructionwithButt-inBase-EmitterShuntResistors. *HighDCCurrentGain- | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | |
2N6051 | isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor DESCRIPTION ?Built-inBase-EmitterShuntResistors ?HighDCcurrentgainhFE=750(Min)@IC=-6A ?Collector-EmitterSustainingVoltageVCEO(SUS)=-80V(Min) ?Complementtotype2N6058 APPLICATIONS ?Designedforgeneralpurposeamplifierandlowfrequencyswitchingapplications. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | |
2N6051 | COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE DARLINGTON12AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS150WATTS ...designedlorgeneral-purposepoweramplifierandlowfrequencyswitchingapplications FEATURES: *MonolithicConstructionwithButt-inBase-EmitterShuntResistors. *HighDCCurrentGain- | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
80V
- 最大電流允許值：
12A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
2
- 可代換的型號：
BDV66A,BDW84B,BDX64A,BDX66A,BDX88B,MJ4031,TIP646,
- 最大耗散功率：
150W
- 放大倍數(shù)：
β>750
- 圖片代號：
E-44
- vtest：
80
- htest：
999900
- atest：
12
- wtest：
150
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
2N6051
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
散裝
- 描述：
PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-3 |
10000 |
全新 |
詢價 | |||
MOTOROLA |
19 |
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu) |
詢價 | ||||
MOTOROLA |
24+ |
TO-3 |
1000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
BOCA |
23+ |
NA |
19960 |
只做進口原裝,終端工廠免費送樣 |
詢價 | ||
MOTOROLA/摩托羅拉 |
專業(yè)鐵帽 |
TO-3 |
1500 |
原裝鐵帽專營,代理渠道量大可訂貨 |
詢價 | ||
MOTOROLA/摩托羅拉 |
專業(yè)鐵帽 |
TO-3 |
67500 |
鐵帽原裝主營-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
MOTO |
2023+ |
80000 |
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品 |
詢價 | |||
MOTO |
24+ |
35210 |
一級代理/放心采購 |
詢價 | |||
Microsemi |
1942+ |
N/A |
908 |
加我qq或微信，了解更多詳細信息,體驗一站式購物 |
詢價 | ||
MICROSEMI |
1809+ |
SMD |
96 |
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詢價 |
