2N6051分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
2N6051 |
| 參數(shù)屬性 | 2N6051 包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP |
| 功能描述 | isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor |
| 文件大小 |
146.28 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
| 企業(yè)簡稱 |
ISC【無錫固電】 |
| 中文名稱 | 無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-26 22:30:00 |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
2N6051三極管、2N6051晶體管、2N6051晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
80V
- 最大電流允許值：
12A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
2
- 可代換的型號：
BDV66A,BDW84B,BDX64A,BDX66A,BDX88B,MJ4031,TIP646,
- 最大耗散功率：
150W
- 放大倍數(shù)：
β>750
- 圖片代號：
E-44
- vtest：
80
- htest：
999900
- atest：
12
- wtest：
150
2N6051規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
? Built-in Base-Emitter Shunt Resistors
? High DC current gainhFE = 750 (Min) @ IC = -6A
? Collector-Emitter Sustaining VoltageVCEO(SUS)= -80V(Min)
? Complement to type 2N6058
APPLICATIONS
? Designed for general purpose amplifier and low frequency switching applications.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
2N6051
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
散裝
- 描述：
PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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