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2N6051分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

2N6051
廠商型號

2N6051
參數(shù)屬性

2N6051 包裝為散裝；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產品描述：PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
功能描述

COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
文件大小

146.83 Kbytes
頁面數(shù)量

1 頁
生產廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI【新澤西半導體】

中文名稱

新澤西半導體產品股份有限公司官網
原廠標識
數(shù)據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-26 22:30:00

晶體管資料

  • 型號：

    2N6051

  • 別名：

    2N6051三極管、2N6051晶體管、2N6051晶體三極管

  • 生產廠家：

  • 制作材料：

    Si-P+Darl+Di

  • 性質：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    80V

  • 最大電流允許值：

    12A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    2

  • 可代換的型號：

    BDV66A,BDW84B,BDX64A,BDX66A,BDX88B,MJ4031,TIP646,

  • 最大耗散功率：

    150W

  • 放大倍數(shù)：

    β>750

  • 圖片代號：

    E-44

  • vtest：

    80

  • htest：

    999900

  • atest：

    12

  • wtest：

    150

2N6051規(guī)格書詳情

DARLINGTON 12 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60-100 VOLTS 150 WATTS

...designed lor general-purpose power amplifier and low frequency switching applications

FEATURES:

* Monolithic Construction with Butt-in Base-Emitter Shunt Resistors.

* High DC Current Gain -

hFE = 3500(typ)@ Ic=5.0 A

產品屬性

  • 產品編號：

    2N6051

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    散裝

  • 描述：

    PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

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