| 零件編號 | 下載 訂購 | 功能描述/絲印 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
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2N6040 | POWER TRANSISTORS(10A,80W) ...designedforgeneral–purposeamplifierandlow–speedswitchingapplications. FEATURES: ?Collector–EmitterSustainingVoltage- VCEO(sus)=60V(Min)–2N6040,2N6043 =80V(Min)–2N6041,2N6044 =100V(Min)–2N6042,2N6045 ?Collecto | MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導體股份有限公司 | MOSPEC | |
2N6040 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Plasticmedium?powercomplementarysilicontransistorsaredesignedforgeneral?purposeamplifierandlow?speedswitchingapplications. Features ?HighDCCurrentGain?hFE=2500(Typ)@IC=4.0Adc ?Collector?EmitterSustainingVoltage?@100mAdc? VCEO(sus)=60Vdc(M | ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司 | ONSEMI | |
2N6040 | DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS ...designedforgeneral–purposeamplifierandlow–speedswitchingapplications. FEATURES: ?Collector–EmitterSustainingVoltage- VCEO(sus)=60V(Min)–2N6040,2N6043 =80V(Min)–2N6041,2N6044 | bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半導體公司 | boca | |
2N6040 | NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N5294,5296and5298typesaresiliconNPNtransistorsthataremanufacturedbytheepitaxialbaseprocessanddesignedforapplicationsthatrequirepoweramplifierandmediumswitchingcapablilites. | CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導體 | Central | |
2N6040 | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N6040and2N6043SeriestypesareComplementarySiliconPowerTransistors,manufacturedbytheepitaxialbaseprocess,designedforgeneralpurposeamplifierapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER | CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導體 | Central | |
2N6040 | POWER DERATING COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | |
2N6040 | isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ?·HighDCCurrentGain- :hFE=1000(Min)@IC=-4A ?Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=-60V(Min) ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=-2.0V(Max)@IC=-4A ?ComplementtoType2N6043 APPLICATIONS ?Designedforgeneralpurposeamp | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司 | ISC | |
2N6040 | Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=-60V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):-2.0V(Max)@IC=-4.0A APPLICATIONS ·Designedformediumpowerswitchingamplifierapplications. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司 | ISC | |
2N6040 | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS | CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導體 | Central | |
2N6040 | Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors | ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司 | ONSEMI |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_開關管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
60V
- 最大電流允許值：
8A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
BD646,BD698,BD898,BDW74A,BDX54A,FC75B,
- 最大耗散功率：
75W
- 放大倍數(shù)：
β>1000
- 圖片代號：
B-45
- vtest：
60
- htest：
999900
- atest：
8
- wtest：
75
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
2N6040
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
PNP - 達林頓
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
2V @ 16mA，4A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
20μA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 4A，4V
- 工作溫度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 供應商器件封裝：
TO-220
- 描述：
TRANS PNP DARL 60V 8A TO220
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2024 |
TO-220 |
58209 |
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤代理渠道 更多數(shù)量 |
詢價 | ||
24+ |
TO-220 |
10000 |
全新 |
詢價 | |||
BOCA |
23+ |
NA |
19960 |
只做進口原裝,終端工廠免費送樣 |
詢價 | ||
ON |
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TO-220-3 |
11846 |
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
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ON/安森美 |
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TO-220 |
100500 |
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨 |
詢價 | ||
MOT |
21+ |
TO-220 |
53 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-220 |
6000 |
十年配單,只做原裝 |
詢價 | ||
2N6040 |
23 |
23 |
詢價 | ||||
MOT |
05+ |
TO-220 |
45 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
ON |
23+ |
TO-220 |
8 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價 |
