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2N6057分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2N6057
廠商型號

2N6057

參數(shù)屬性

2N6057 封裝/外殼為TO-204AA,TO-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:POWER BJT

功能描述

DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON-POWER TRANSISTORS

封裝外殼

TO-204AA,TO-3

文件大小

90.89 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-25 16:30:00

晶體管資料

  • 型號:

    2N6057

  • 別名:

    2N6057三極管、2N6057晶體管、2N6057晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    60V

  • 最大電流允許值:

    12A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號:

    BDV67,BDW83A,BDX65,BDX67,BDX87A,FH9C,MJ4033,TIP640,

  • 最大耗散功率:

    150W

  • 放大倍數(shù):

    β>750

  • 圖片代號:

    E-44

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    12

  • wtest:

    150

2N6057規(guī)格書詳情

DARLINGTON 12 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60-100 VOLTS 150 WATTS

...designed lor general-purpose power amplifier and low frequency switching applications

FEATURES:

* Monolithic Construction with Butt-in Base-Emitter Shunt Resistors.

* High DC Current Gain -

hFE = 3500(typ)@ Ic=5.0 A

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2N6057

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    2V @ 24mA, 6A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1mA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 6A,3V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-204AA,TO-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-204AA(TO-3)

  • 描述:

    POWER BJT

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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