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2N6058分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2N6058
廠商型號

2N6058

參數(shù)屬性

2N6058 包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

功能描述

Silicon NPN Power Transistor

文件大小

272.57 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-10 23:00:00

晶體管資料

  • 型號:

    2N6058

  • 別名:

    2N6058三極管、2N6058晶體管、2N6058晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    80V

  • 最大電流允許值:

    12A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號:

    BDV67A,BDW83B,BDX65A,BDX67A,BDX87B,FH9C,MJ4034,TIP641,

  • 最大耗散功率:

    150W

  • 放大倍數(shù):

    β>750

  • 圖片代號:

    E-44

  • vtest:

    80

  • htest:

    999900

  • atest:

    12

  • wtest:

    150

2N6058規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

·Built-in Base-Emitter Shunt Resistors

·High DC current gainhFE

= 750 (Min) @ IC = 6A

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

VCEO(SUS)= 80V(Min)

·Complement to type 2N6051

APPLICATIONS

·Designed for general purpose amplifier and low frequency

switching applications.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2N6058

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 描述:

    PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST/意法
23+
NA/
4018
原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票
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BOCA
23+
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19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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