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2N6666中文資料統(tǒng)懋?dāng)?shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2N6666
廠商型號

2N6666

功能描述

POWER TRANSISTORS(65W)

文件大小

151.84 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Mospec Semiconductor
企業(yè)簡稱

MOSPEC統(tǒng)懋

中文名稱

統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-30 22:01:00

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晶體管資料

  • 型號:

    2N6666

  • 別名:

    2N6666三極管、2N6666晶體管、2N6666晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    40V

  • 最大電流允許值:

    8A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BD644,BD896,BDW74,BDX54,

  • 最大耗散功率:

    65W

  • 放大倍數(shù):

    β>1000

  • 圖片代號:

    B-84

  • vtest:

    40

  • htest:

    999900

  • atest:

    8

  • wtest:

    65

2N6666規(guī)格書詳情

8 AND 10 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS PNP SILICON 40-80 VOLTS 65 WATTS

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    2N6666

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT PNP Pwr Darlington

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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