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2N6667分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2N6667
廠商型號

2N6667

參數(shù)屬性

2N6667 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP DARL 60V 10A TO220

功能描述

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

文件大小

151.57 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2024-12-23 19:46:00

晶體管資料

  • 型號:

    2N6667

  • 別名:

    2N6667三極管、2N6667晶體管、2N6667晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    60V

  • 最大電流允許值:

    8A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BD646,BD898,BDW74A,BDX54A,

  • 最大耗散功率:

    65W

  • 放大倍數(shù):

    β>1000

  • 圖片代號:

    B-84

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    8

  • wtest:

    65

2N6667規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? High DC Current Gain- : hFE = 1000(Min)@ IC= -5A

? Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -60V(Min)

? Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat) = -2.0V(Max)@ IC= -5A

? Complement to Type 2N6387

APPLICATIONS

? Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2N6667

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    3V @ 100mA,10A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1mA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 5A,3V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 60V 10A TO220

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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