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2N6667分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2N6667
廠商型號

2N6667

參數屬性

2N6667 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為散裝;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS PNP DARL 60V 10A TO220

功能描述

Darlington Silicon Power Transistors
TRANS PNP DARL 60V 10A TO220

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

76.94 Kbytes

頁面數量

8

生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網

原廠標識
數據手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-24 23:00:00

晶體管資料

  • 型號:

    2N6667

  • 別名:

    2N6667三極管、2N6667晶體管、2N6667晶體三極管

  • 生產廠家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl

  • 性質:

    低頻或音頻放大 (LF)_開關管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    60V

  • 最大電流允許值:

    8A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數:

    3

  • 可代換的型號:

    BD646,BD898,BDW74A,BDX54A,

  • 最大耗散功率:

    65W

  • 放大倍數:

    β>1000

  • 圖片代號:

    B-84

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    8

  • wtest:

    65

2N6667規(guī)格書詳情

2N6667屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由安森美半導體公司制造生產的2N6667晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言,它們仍然是首選技術。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    2N6667

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    3V @ 100mA,10A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1mA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 5A,3V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 60V 10A TO220

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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