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2SA1162-O,LF

包裝：散裝 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS PNP 50V 0.15A SMINI

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162

TRANSISTOR(PNP)

FEATURES .Lownoise:NF=1dB(Typ.),10dB(Max.) .Complementaryto2SC2712. .SmallPackage. MARKING:SO,SY,SG

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽(yù)半導(dǎo)體深圳市金譽(yù)半導(dǎo)體股份有限公司

2SA1162

PNPSiliconGeneralPurposeTransistor

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SA1162

PNPSiliconGeneralPurposeTransistor

FEATURES ?LowNoise:NF=1dB(Typ.),10dB(Max.) ?Complementsofthe2SC2712 MECHANICALDATA ?Case:SOT-23,MoldedPlastic ?Weight:0.008grams(approx.)

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SA1162

Plastic-EncapsulatedTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:150mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:150mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:-50V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

TEL

TRANSYS Electronics Limited

2SA1162

AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SA1162

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES ●Lownoise:NF=1dB(Typ),10dB(Max). ●Commplementaryto2SC2712. ●Smallpackage. APPLICATIONS ●Generalpurposeapplication.

BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd.

銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

2SA1162

AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SA1162

TRANSISTOR(AUDIOFREQUENCYGENERALPURPOSEAMPLIFIERAPPLICATIONS)

AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications ?Highvoltageandhighcurrent:VCEO=?50V,IC=?150mA(max) ?ExcellenthFElinearity:hFE(IC=?0.1mA)/hFE(IC=?2mA) =0.95(typ.) ?HighhFE:hFE=70~400 ?Lownoise:NF=1dB(typ.),

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SA1162

SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage

Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features Highvoltageandcurrent,excellenthFElinearity,highhFE,lownoise,complementaryto2SC2712. Applications Audiofrequencygeneralpurposeamplifierapplications.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司

2SA1162

Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES Lownoise:NF=1dB(Typ.),10dB(Max.) Complementaryto2SC2712. SmallPackage.

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰電子有限公司

2SA1162

PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR

PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR LOWFREQRENCY,LOWNOISEAMPLIFIER ?Complemento2SC2712 ?Collector-current:Ic=-100mA Collector-EmillerVoltage:VCE=-45V

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司

2SA1162

PNPGeneralPurposeTransistor

FEATURES PNPGeneralPurposeTransistor

GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd.

桂微桂林斯壯桂微電子有限責(zé)任公司

2SA1162

SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Lownoise ●Complementaryto2SC2712 ●SmallPackage

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司

2SA1162

TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTprocess)

AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications ?Highvoltageandhighcurrent:VCEO=?50V,IC=?150mA(max) ?ExcellenthFElinearity:hFE(IC=?0.1mA)/hFE(IC=?2mA) =0.95(typ.) ?HighhFE:hFE=70~400 ?Lownoise:NF=1dB(typ.),

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SA1162

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd.

銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

2SA1162

TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTprocess)

AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications ?Highvoltageandhighcurrent:VCEO=?50V,IC=?150mA(max) ?ExcellenthFElinearity:hFE(IC=?0.1mA)/hFE(IC=?2mA) =0.95(typ.) ?HighhFE:hFE=70~400 ?Lownoise:NF=1dB(typ.),

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SA1162

NewJerseySemi-ConductorProducts,

NewJerseySemi-ConductorProducts

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2SA1162

PNPTransistors

■Features ●Highvoltageandhighcurrent ●HighhFE:hFE=70~400 ●Lownoise:NF=1dB(typ.),10dB(max) ●Complementaryto2SC2712

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司

2SA1162

SiliconPNPEpitaxialTypeTransistor

BWTECH

Bruckewell Technology LTD

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    2SA1162-O,LF

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類(lèi)型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    300mV @ 10mA，100mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    200 @ 2mA，6V

  • 頻率 - 躍遷：

    80MHz

  • 工作溫度：

    125°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    S-Mini

  • 描述：

    TRANS PNP 50V 0.15A SMINI

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Toshiba
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更多2SA1162-O,LF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-5 15:00:00

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