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2SB1130AM

Epitaxial Planar PNP Silicon Transistor

Features 1)Highbreakdwonvoltage:BVCEO=-160V. 2)Hightransitionfrequency. 3)Smalloutputcapacitance. 4)Complementarypairwith2SD1665AM.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

2SB1131

Strobe,High-Current Switching Applications

Applications 1.Strobes,powersupplies,relaydrivers,lampdrivers. Features 1.AdoptionofFBET,MBITprocesses. 2.Lowsaturationvoltage. 3.Largecurrentcapacity. 4.Fastswitchingtime.

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機株式會社

2SB1132

Medium Power Transistor

MediumPowerTransistor(-32V,-1A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.2V(Typ.) (IC/IB=-500mA/-50mA) 2)Compliments2SD1664/2SD1858 Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

2SB1132

PNP Plastic-Encapsulate Transistors

PNPPlastic-EncapsulateTransistors P/bLead(Pb)-Free

WEITRON

Weitron Technology

2SB1132

MEDIUM POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION TheUTC2SB1132isaepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. FEATURES *LowVCE(SAT). VCE(SAT)=-0.2V(Typ.)(IC/IB=-500mA/-50mA)

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SB1132

Plastic-Encapsulated Transistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.5W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-1A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-40V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃

TEL

TRANSYS Electronics Limited

2SB1132

PNP Silicon Medium Power Transistor

FEATURES ?Lowpowerdissipation0.5W

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SB1132

Medium Power Transistor

Features ●LowVCE(sat) ●Complimentsto2SD1664

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2SB1132

TRANSISTOR (PNP)

FEATURES ?LowVCE(sat):-0.2V(Typ)IC/IB=-500mA/-50mA ?Compliments2SD1664

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽半導(dǎo)體深圳市金譽半導(dǎo)體股份有限公司

2SB1132

Medium Power Transistor (-32V,??1A)

MediumPowerTransistor(-32V,-1A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.2V(Typ.) (IC/IB=-500mA/-50mA) 2)Compliments2SD1664/2SD1858 Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

晶體管資料

  • 型號：

    2SB1131

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    STROBO_LO_SAT

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    25V

  • 最大電流允許值：

    5A

  • 最大工作頻率：

    320MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    2SB873,2SB1288,2SB1306,

  • 最大耗散功率：

    1W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    A-20

  • vtest：

    25

  • htest：

    320000000

  • atest：

    5

  • wtest：

    1

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    2SB113

  • 制造商：

    SANYO

  • 制造商全稱：

    Sanyo Semicon Device

  • 功能描述：

    Strobe,High-Current Switching Applications

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NEC
24+
90000
詢價
UTG
24+
SOT-89
5000
只做原裝公司現(xiàn)貨
 詢價
SANYO
23+
TO-92L
4000
正品原裝貨價格低
 詢價
TOSHIBA/東芝
823
TSSOP20
1557
原裝現(xiàn)貨
 詢價
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
 詢價
SANYO/三洋
2447
TO-92L
100500
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨
 詢價
SANYO
21+
TO-92L
20000
原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價
SANYO/三洋
23+
TO-92L
5000
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道?？商峁┐罅繋齑?詳
 詢價
SANYO
09+
TO-92L
20000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
SANYO
589220
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量
 詢價
更多2SB113供應(yīng)商 更新時間2025-2-24 10:50:00

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