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2SB1260	文件：612.42 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor(-80V,-1A) FEATURES Highbreakdownvoltageand highcurrent. BVCEO=-80V,IC=-1A GoodhFEVLinearity. LowVCE(sat). Complementsthe2SD1898. APPLICATIONS EpitaxialplanartypePNPsilicontransistor	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
2SB1260	文件：1.74143 Mbytes Page：2 Pages	Plastic-encapsulatePNPTransistors	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
2SB1260	文件：188.72 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor(-80V,-1A) FEATURES ●Highbreakdownvoltageandhighcurrent.BVCEO=-80V,IC=-1A ●GoodhFEVLinearity. ●LowVCE(sat). ●Complementsthe2SD1898. APPLICATIONS ●EpitaxialplanartypePNPsilicontransistor	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司	BILIN
2SB1260	文件：1.16743 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●PowerTransistor ●HighVoltageandCurrent ●LowCollector-emittersaturationvoltage ●Complementsthe2SD1898	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
2SB1260	文件：154.56 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistor	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SB1260	文件：131.89 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:0.5W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-80V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實業(yè)深圳市永而佳實業(yè)有限公司	WINNERJOIN
2SB1260	文件：173.59 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ?Highbreakdownvoltageandhighcurrent.BVCEO=-80V,IC=-1A ?GoodhFEVLinearity. ?LowVCE(sat). ?Complementsthe2SD1898.	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰電子有限公司	HOTTECH
2SB1260	文件：669.38 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features Highbreakdownvoltage,goodhFElinearity,lowVCE(sat),complementsthe2SD1898. Applications Generalpoweramplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司	FOSHAN
2SB1260	文件：92.25 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistor(??0V,??A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SB1260	文件：92.25 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistor(??0V,??A) Features 1)Highbreakdownvoltageandhighcurrent.BVCEO=?80V,IC=?1A 2)GoodhFElinearity. 3)LowVCE(sat). 4)Complementsthe2SD1898/2SD1863/2SD1733.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SB1260	文件：362.29 Kbytes Page：2 Pages	SOT-89Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES PowerdissipationPCM:0.5W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-1A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-80V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威倫威倫電子股份有限公司	WILLAS
2SB1260	文件：193.99 Kbytes Page：2 Pages	-1A,-80VPNPPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES ?HighbreakdownvoltageandhighcurrentBVCEO=-80V,IC=-1A ?GoodhFElinearity ?Complementsto2SD1898	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SB1260	文件：146.69 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistor(-80V,-1A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SB1260	文件：236.3 Kbytes Page：4 Pages	POWERTRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SB1260	文件：51.46 Kbytes Page：1 Pages	PowerTransistor Features ●Highbreakdownvoltageandhighcurrent.BVCEO=-80V,IC=-1A ●GoodhFElinearity. ●LowVCE(sat). ●Epitaxialplanartype ●PNPsilicontransistor	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
2SB1260	文件：220.75 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●PowerTransistor ●HighVoltageandCurrent ●LowCollector-emittersaturationvoltage ●Complementsthe2SD1898	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金譽半導體深圳市金譽半導體股份有限公司	HTSEMI
2SB1260	文件：203.61 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistor(-80V,-1A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
2SB1260	文件：66.95 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.5W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-1A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-80V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2SB1260	文件：57.69 Kbytes Page：4 Pages	POWERTRANSISTOR POWERTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SB1260isaepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. FEATURES Highbreakdownvoltageandhighcurrent.BVCEO=-80V,IC=-1A GoodhFElinearity. *LowVCE(SAT)	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SB1260	文件：97.68 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor(−80V,−1A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM

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