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2SB1260

Marking：TL；Power Transistor

Features 1)Highbreakdownvoltageandhighcurrent.BVCEO=?80V,IC=?1A 2)GoodhFElinearity. 3)LowVCE(sat). 4)Complementsthe2SD1898/2SD1863/2SD1733.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SB1260

PNP Plastic-Encapsulate Transistor

PNPPlastic-EncapsulateTransistor P/bLead(Pb)-Free

WEITRON

Weitron Technology

2SB1260

POWER TRANSISTOR

POWERTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SB1260isaepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. FEATURES *Highbreakdownvoltageandhighcurrent.BVCEO=-80V,IC=-1A *GoodhFElinearity. *LowVCE(SAT)

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SB1260

Plastic-Encapsulated Transistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.5W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-1A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-80V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃

TEL

TRANSYS Electronics Limited

2SB1260

TRANSISTOR(PNP)

FEATURES ●PowerTransistor ●HighVoltageandCurrent ●LowCollector-emittersaturationvoltage ●Complementsthe2SD1898

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽(yù)半導(dǎo)體深圳市金譽(yù)半導(dǎo)體股份有限公司

2SB1260

Power Transistor

Features ●Highbreakdownvoltageandhighcurrent.BVCEO=-80V,IC=-1A ●GoodhFElinearity. ●LowVCE(sat). ●Epitaxialplanartype ●PNPsilicontransistor

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

2SB1260

-1 A, -80 V PNP Plastic Encapsulated Transistor

FEATURES ?HighbreakdownvoltageandhighcurrentBVCEO=-80V,IC=-1A ?GoodhFElinearity ?Complementsto2SD1898

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SB1260

SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES PowerdissipationPCM:0.5W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-1A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-80V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃

WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP

威倫威倫電子股份有限公司

2SB1260

Power Transistor (??0V, ??A)

Features 1)Highbreakdownvoltageandhighcurrent.BVCEO=?80V,IC=?1A 2)GoodhFElinearity. 3)LowVCE(sat). 4)Complementsthe2SD1898/2SD1863/2SD1733.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SB1260

Silicon PNP transistor in a SOT-89 Plastic Package

Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features Highbreakdownvoltage,goodhFElinearity,lowVCE(sat),complementsthe2SD1898.  Applications Generalpoweramplifierapplications.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    2SB1260

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    表面帖裝型 （SMD）_低頻或音頻放大 （LF）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    80V

  • 最大電流允許值：

    1A

  • 最大工作頻率：

    100MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    2SA1364,2SA1416,2SB766A,2SB803,2SB804,2SB1025,2SB1026,BCX53,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    H-100

  • vtest：

    80

  • htest：

    100000000

  • atest：

    1

  • wtest：

    0

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    2SB1260

  • 制造商：

    ROHM Semiconductor

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
CJ
19+
SOT-89
9000
詢(xún)價(jià)
長(zhǎng)電/長(zhǎng)晶
23+
SOT-89
30000
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢(xún)價(jià)
CJ/長(zhǎng)晶
20+
SOT-89
120000
原裝正品 可含稅交易
 詢(xún)價(jià)
ROHM/羅姆
23+
SOT89
35680
只做進(jìn)口原裝QQ:373621633
 詢(xún)價(jià)
CJ/長(zhǎng)晶
24+
SOT-89-3L
30000
長(zhǎng)晶全系列二三極管原裝優(yōu)勢(shì)供應(yīng),歡迎詢(xún)價(jià)
 詢(xún)價(jià)
ROHMCJ
2024
SOT-89
58209
16余年資質(zhì) 絕對(duì)原盒原盤(pán)代理渠道 更多數(shù)量
 詢(xún)價(jià)
ROHM
24+
SOT-89
7200
新進(jìn)庫(kù)存/原裝
 詢(xún)價(jià)
ROHM
2016+
SOT89
6000
只做原裝,假一罰十,公司可開(kāi)17%增值稅發(fā)票!
 詢(xún)價(jià)
ROHM
23+
SOT89
11092
詢(xún)價(jià)
ROMH
2020+
SOT-89
1126
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可
 詢(xún)價(jià)
更多2SB1260供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-11 15:08:00

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