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2SB1260	文件：612.42 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor(-80V,-1A) FEATURES Highbreakdownvoltageand highcurrent. BVCEO=-80V,IC=-1A GoodhFEVLinearity. LowVCE(sat). Complementsthe2SD1898. APPLICATIONS EpitaxialplanartypePNPsilicontransistor	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
2SB1260	文件：1.74143 Mbytes Page：2 Pages	Plastic-encapsulatePNPTransistors	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
2SB1260	文件：188.72 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor(-80V,-1A) FEATURES ●Highbreakdownvoltageandhighcurrent.BVCEO=-80V,IC=-1A ●GoodhFEVLinearity. ●LowVCE(sat). ●Complementsthe2SD1898. APPLICATIONS ●EpitaxialplanartypePNPsilicontransistor	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
2SB1260	文件：1.16743 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●PowerTransistor ●HighVoltageandCurrent ●LowCollector-emittersaturationvoltage ●Complementsthe2SD1898	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司	JIANGSU
2SB1260	文件：154.56 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistor	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SB1260	文件：131.89 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:0.5W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-80V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司	WINNERJOIN
2SB1260	文件：173.59 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ?Highbreakdownvoltageandhighcurrent.BVCEO=-80V,IC=-1A ?GoodhFEVLinearity. ?LowVCE(sat). ?Complementsthe2SD1898.	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰電子有限公司	HOTTECH
2SB1260	文件：669.38 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features Highbreakdownvoltage,goodhFElinearity,lowVCE(sat),complementsthe2SD1898. Applications Generalpoweramplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
2SB1260	文件：92.25 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistor(??0V,??A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SB1260	文件：92.25 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistor(??0V,??A) Features 1)Highbreakdownvoltageandhighcurrent.BVCEO=?80V,IC=?1A 2)GoodhFElinearity. 3)LowVCE(sat). 4)Complementsthe2SD1898/2SD1863/2SD1733.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SB1260	文件：362.29 Kbytes Page：2 Pages	SOT-89Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES PowerdissipationPCM:0.5W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-1A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-80V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威倫威倫電子股份有限公司	WILLAS
2SB1260	文件：193.99 Kbytes Page：2 Pages	-1A,-80VPNPPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES ?HighbreakdownvoltageandhighcurrentBVCEO=-80V,IC=-1A ?GoodhFElinearity ?Complementsto2SD1898	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SB1260	文件：146.69 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistor(-80V,-1A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SB1260	文件：236.3 Kbytes Page：4 Pages	POWERTRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SB1260	文件：51.46 Kbytes Page：1 Pages	PowerTransistor Features ●Highbreakdownvoltageandhighcurrent.BVCEO=-80V,IC=-1A ●GoodhFElinearity. ●LowVCE(sat). ●Epitaxialplanartype ●PNPsilicontransistor	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
2SB1260	文件：220.75 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●PowerTransistor ●HighVoltageandCurrent ●LowCollector-emittersaturationvoltage ●Complementsthe2SD1898	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金譽(yù)半導(dǎo)體深圳市金譽(yù)半導(dǎo)體股份有限公司	HTSEMI
2SB1260	文件：203.61 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistor(-80V,-1A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SB1260	文件：66.95 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.5W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-1A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-80V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2SB1260	文件：57.69 Kbytes Page：4 Pages	POWERTRANSISTOR POWERTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SB1260isaepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. FEATURES Highbreakdownvoltageandhighcurrent.BVCEO=-80V,IC=-1A GoodhFElinearity. *LowVCE(SAT)	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SB1260	文件：97.68 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor(−80V,−1A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
2SB1260FRA
制造商：
ROHM Semiconductor

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	2SB1260FRA	ROHM/羅姆	23+	SOT89	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳廊盛科技有限公司	2SB1260FRA	ROHM/羅姆	2022	SOT89	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價(jià)
深圳市匯萊威科技有限公司	2SB1260FRA		ROHM	SOT89	608900	原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!	詢價(jià)
深圳市得捷芯城科技有限公司	2SB1260FRA	ROHM/羅姆	23+	NA/	800	優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票	詢價(jià)
深圳市凌旭科技有限公司	2SB1260FRAT101Q	ROHM	2016+	SOT89	3000	只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!	詢價(jià)
深圳市亞泰盈科電子有限公司	2SB1260FRAT101Q	ROHM		SOT89	30216	提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S	詢價(jià)
深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司	2SB1260FRAT100Q	ROHM/羅姆	18+	SOT89	9599	全新原裝現(xiàn)貨,可出樣品,可開增值稅發(fā)票	詢價(jià)
深圳市興燦科技有限公司	2SB1260FRAT100Q	ROHM/羅姆	24+	SOT89	25500	授權(quán)代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特價(jià)銷售	詢價(jià)
艾睿國(guó)際（香港）有限公司	2SB1260FRAT100R	ROHM(羅姆)	2112+	SOT-89	105000	1000個(gè)/圓盤一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,	詢價(jià)
深圳市航潤(rùn)創(chuàng)能電子集團(tuán)有限公司	2SB1260FRAT101Q	ROHM	21+	SOT89	1000	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)

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