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2SC2712	文件：295.63 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23BIPOLARTRANSISTORSTRANSISTOR(PNP)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
2SC2712	文件：738.07 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURE ?LowNoise:NF=1dB(Typ),10dB(MAX) ?Complementaryto2SA1162	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金譽(yù)半導(dǎo)體深圳市金譽(yù)半導(dǎo)體股份有限公司	HTSEMI
2SC2712	文件：206.79 Kbytes Page：4 Pages	AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SC2712	文件：168.85 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNEpitaxialTypeTransistor Features ●Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) ●ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(typ.) ●HighhFE:hFE=70700 ●Lownoise:NF=1dB(typ.),10dB(max)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
2SC2712	文件：173.95 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Lownoise：NF=1dB(Typ.),10dB(Max). ●Complementaryto2SA1162. ●Highvoltageandhighcurrent. ●HighhFElinearity. APPLICATIONS ●Audiofrequencygeneralpurposeamplifierapplications.	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
2SC2712	文件：624.13 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNPNEpitaxialType(PCTprocess)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SC2712	文件：113.89 Kbytes Page：4 Pages	AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR FEATURES HighVoltageandHighCurrent:VCEO=50V,IC=150mA(Max.) ExcellenthFELinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.) HighhFE LowNoise	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SC2712	文件：170.61 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
2SC2712	文件：924.53 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
2SC2712	文件：210.16 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ?WithSOT-23packaging ?Highcollector-basevoltage ?Highpowerdissipation ?Lowsaturationvoltage ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Poweramplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SC2712	文件：1.07182 Mbytes Page：2 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
2SC2712	文件：99.97 Kbytes Page：1 Pages	NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR PRF-AMPLIFIER,LOWLEVEL&LOWNOISE ●Complemento2SA1037 ●Collector-current:Ic=100mA ●Collector-EmillerVoltage:VCE=45V ●HighTotalpowerDissipationPc=225mW ●HighlifeAndGoodLinearity	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司	WINNERJOIN
2SC2712	文件：197.8 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES LowNoise:NF=1dB(Typ),10dB(MAX) Complementaryto2SA1162	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰電子有限公司	HOTTECH
2SC2712	文件：2.39488 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) Features ●AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications ●LowNoise:NF=1dB(Typ),10dB(MAX) ●Complementaryto2SA1162	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 蘇海德半導(dǎo)體蘇海德半導(dǎo)體有限公司	HDSEMI
2SC2712	文件：659.13 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURE ?LowNoise:NF=1dB(Typ),10dB(MAX) ?Complementaryto2SA1162 ?AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
2SC2712	文件：482.23 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors	SHENZHENSLSSHENZHEN SLS TECHNOLOGY CO.,LTD. 三聯(lián)盛科技股份深圳市三聯(lián)盛科技股份有限公司	SHENZHENSLS
2SC2712	文件：188.42 Kbytes Page：1 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistor FEATURE ?LowNoise:NF=1dB(Typ.),10db(Max.) ?Complementsofthe2SA1162	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC2712	文件：338.66 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNPNTransistors SiliconNPNTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
2SC2712	文件：210.58 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(AUDIOFREQUENCYGENERALPURPOSEAMPLFIERAPPLICATIONS) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications ?Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) ?ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA) =0.95(typ.) ?HighhFE:hFE=70~700 ?Lownoise:NF=1dB(typ.),1	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SC2712	文件：385.88 Kbytes Page：3 Pages	NPNEpitaxialPlanarTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
2SC2712S-GR
功能描述：
兩極晶體管 - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
- 6 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
100 A
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市凌旭科技有限公司	2SC2712S-GR	TOSHIBA	2016+	SOT23	3900	只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	2SC2712S-GR	TOSHIBA	1844+	NA	9852	只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!!	詢價(jià)
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