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2SC3063

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·WithTO-126package ·HighVCEO ·LowCOB APPLICATIONS ·ForTVvideooutputamplification

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SC3063

Silicon NPN transistor in a TO-126F Plastic Package.

Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Features HighVCEO,lowCob. Applications Videooutputamplifier.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司

2SC3063

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ?HighCollector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=300V(Min) ?GoodLinearityofhFE ?LowSaturationVoltage APPLICATIONS ?DesignedforTVvideooutputamplification.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2SC3064

NPN Epitaxial Planar Silicon CompositeTransistor

NPNEpitaxialPlanarSiliconCompositeTransistor

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會社

2SC3065

NPN Epitaxial Planar Silicon CompositeTransistor

DifferentialAmpApplications

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會社

2SC3066

DIFFERENTIAL AMP APPLICATIONS

DIFFERENTIALAMPAPPLICATIONS Features ?Excellentinthermalequilibriumandsuitedforuseindifferentialampapplications. ?Matchedpaircapability. Applications ?Differentialamp,currentmirror

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會社

2SC3067

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor DIFFERENTIAL AMP APPLICATIONS

DIFFERENTIALAMPAPPLICATION

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會社

2SC3068

High-hFE, Low-Frequency General-Purpose Amp Applications????

HighhFE,Low-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications Features ·HighDCcurrentgain(hFE=800to3200). ·Largecurrentcapacity. ·Lowcollector-to-emittersaturationvoltage(VCE(sat)=0.5Vmax). ·HighVEBO(VEBO≥15V). Applications ·Low-frequency,general-purp

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會社

2SC3069

High-hFE, Low-Frequency General-Purpose Amp Applications????

HighhFE,Low-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications Features ?HighDCcurrentgain(hFE=800to3200). ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage(VCE(sat)=0.5Vmax). ?HighVEBO(VEBO≥15V). Applications ?Low-frequency,general-purposeamplifier.,variousdrivers,mutingcircu

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會社

2SC3060

Silicon NPN Power Transistors

SAVANTIC

Savantic, Inc.

晶體管資料

  • 型號：

    2SC3060

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    開關(guān)管 （S）_功率放大 （L）_電源用 （Reg）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    1200V

  • 最大電流允許值：

    5A

  • 最大工作頻率：

    15MHZ

  • 引腳數(shù)：

    2

  • 可代換的型號：

    BU207(A),BU208(A),MJ8502,2SC3342,2SC3460,2SD1103,

  • 最大耗散功率：

    100W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    E-44

  • vtest：

    1200

  • htest：

    15000000

  • atest：

    5

  • wtest：

    100

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    2SC306

  • 制造商：

    SAVANTIC

  • 制造商全稱：

    Savantic, Inc.

  • 功能描述：

    Silicon NPN Power Transistors

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
24+
TO-3
10000
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