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2SC3070	文件：80.27 Kbytes Page：3 Pages	High-hFE, Low-Frequency General-Purpose Amp Applications???? HighhFE,Low-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications Features ?HighDCcurrentgain(hFE=800to3200). ?Largecurrentcapacity(IC=1.2A). ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage (VCE(sat)=0.5Vmax). ?HighVEBO(VEBO≥15V). Applications ?Low-frequency,general-purp	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO
2SC3071	文件：83.28 Kbytes Page：3 Pages	High-hFE, Low-Frequency General-Purpose Amp Applications???? HighhFE,Low-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications Features ·HighDCcurrentgain(hFE=500to2000). ·Highbreakdownvoltage(VCEO≥100V). ·Lowcollector-to-emittersaturationvoltage(VCE(sat)≤0.5V). ·HighVEBO(VEBO≥15V). Applications ·Low-frequency,general-p	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO
2SC3072	文件：152.32 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (STROBE FLASH, MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) StrobeFlashApplications MediumPowerAmplifierApplications ?HighDCcurrentgain :hFE=140to450(VCE=2V,IC=0.5A) :hFE=70(min)(VCE=2V,IC=4A) ?Lowcollectorsaturationvoltage :VCE(sat)=1.0V(max)(IC=4A,IB=0.1A) ?Highpowerdi	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SC3072	文件：40.31 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Epitaxial Features ?HighDCcurrentgain. ?Lowcollectorsaturationvoltage. ?Highpowerdissipation.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
2SC3072	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SC3072	文件：280.06 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=20V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=140(Min)@IC=0.5A ·Fastswitchingspeed ·Largecurrentcapacity APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Driverstageamplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SC3072	文件：299.12 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=20V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=140(Min)@IC=0.5A ·Fastswitchingspeed ·Largecurrentcapacity APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Driverstageamplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SC3072-251	文件：299.12 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=20V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=140(Min)@IC=0.5A ·Fastswitchingspeed ·Largecurrentcapacity APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Driverstageamplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SC3072-252	文件：280.06 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=20V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=140(Min)@IC=0.5A ·Fastswitchingspeed ·Largecurrentcapacity APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Driverstageamplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SC3073	文件：232.57 Kbytes Page：3 Pages	SILICON NPN EPITAXIAL TYPE(PCT PROCESS) POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS. CARRADIO,CARSTEREOOUTPUTSTAGEAMPLIFIERAPPLICATIONS. FEATURES: ?GoodLinearityofhFE ?Complementaryto2SA1243	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SC3073	文件：299.69 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=30V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=70(Min)@IC=0.5A ·Fastswitchingspeed ·Largecurrentcapacity APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Driverstageamplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SC3073-251	文件：299.69 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=30V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=70(Min)@IC=0.5A ·Fastswitchingspeed ·Largecurrentcapacity APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Driverstageamplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SC3074	文件：195.44 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR (HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS) HighCurrentSwitchingApplications ?Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.4V(max)(IC=3A) ?Highspeedswitchingtime:tstg=1.0μs(typ.) ?Complementaryto2SA1244	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SC3074	文件：43.71 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Epitaxial ■Features ●Lowcollectorsaturationvoltage ●Highspeedswitchingtime:tstg=1.0μs(typ.) ●Complementaryto2SA1244	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
2SC3074	文件：194.01 Kbytes Page：5 Pages	High Current Switching Applications HighCurrentSwitchingApplications ?Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.4V(max)(IC=3A) ?Highspeedswitchingtime:tstg=1.0μs(typ.) ?Complementaryto2SA1244	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SC3074	文件：306.88 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ?WithTO-252(DPAK)packaging ?ExcellentlinearityofhFE ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ?Fastswitchingspeed ?Complementaryto2SA1244 ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Relaydrivers,high-spe	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SC3074	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SC3074	文件：302.85 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·ExcellentlinearityofhFE ·Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ·Fastswitchingspeed ·Complementaryto2SA1244 APPLICATIONS ·Relaydrivers,high-speedinverters,convertersand Othergeneralhighcurrentswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SC3074	文件：321.89 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·ExcellentlinearityofhFE ·Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ·Fastswitchingspeed ·Complementaryto2SA1244 APPLICATIONS ·Relaydrivers,high-speedinverters,convertersand Othergeneralhighcurrentswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SC3074-251	文件：321.89 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·ExcellentlinearityofhFE ·Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ·Fastswitchingspeed ·Complementaryto2SA1244 APPLICATIONS ·Relaydrivers,high-speedinverters,convertersand Othergeneralhighcurrentswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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晶體管資料

型號(hào)：
2SC3071
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
HI_UEB_HI_BETA
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
120V
最大電流允許值：
0.2A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
2SD1211,
最大耗散功率：
放大倍數(shù)：
β>500
圖片代號(hào)：
A-20
vtest：
120
htest：
999900
atest：
0.2
wtest：
0

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SC3071	SANYO	24+	TO-92L	530		詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	2SC3071	三洋	2020+	TO-92	11160	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存本公司只做原裝可	詢價(jià)
深圳市鵬和科技有限公司	2SC3071	UTG	24+	SOT-89	5000	全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市航潤(rùn)創(chuàng)能電子集團(tuán)有限公司	2SC3071	SNAYO	21+	TO-92	5580	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳市旺財(cái)半導(dǎo)體有限公司	2SC3071	TOS	23+	TO	20000	正品原裝貨價(jià)格低qq:2987726803	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	2SC3071	SNAYO	23+	TO-92	6500	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	2SC3071	SNAYO	23+	TO-92	6500	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市納立科技有限公司	2SC3071-AE		三年內(nèi)		1983	只做原裝正品	詢價(jià)
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	2SC3071-AE		24+	N/A	64000	一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇	詢價(jià)
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	2SC3072	東芝	12+	TO-252	15000	全新原裝,絕對(duì)正品,公司現(xiàn)貨供應(yīng)。	詢價(jià)

更多2SC307供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-3 10:50:00

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