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2SC3587中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2SC3587
廠商型號

2SC3587

功能描述

SILICON TRANSISTOR

文件大小

215.11 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-3 15:46:00

晶體管資料

  • 型號:

    2SC3587

  • 別名:

    2SC3587三極管、2SC3587晶體管、2SC3587晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    超高頻/特高頻 (UHF)

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    20V

  • 最大電流允許值:

    0.035A

  • 最大工作頻率:

    10GHZ

  • 引腳數(shù):

    4

  • 可代換的型號:

    2SC3721,

  • 最大耗散功率:

    0.58W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    G-129

  • vtest:

    20

  • htest:

    10000000000

  • atest:

    0.035

  • wtest:

    0.58

2SC3587規(guī)格書詳情

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION

The 2SC3587 is an NPN epitaxial transistor designed for lownoise

amplification at 0.5 to 6.0 GHz. This transistor has low-noise

and high-gain characteristics in a wide collector current region, and

has a wide dynamic range.

FEATURES

· Low noise : NF = 1.7 dB TYP. @ f = 2 GHz

NF = 2.6 dB TYP. @ f = 4 GHz

· High power gain : GA = 12.5 dB TYP. @ f = 2 GHz

GA = 8.0 dB TYP. @ f = 4 GHz

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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