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2SCR542D

iscSiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION ·DCCurrentGainhFE:200-500@IC=0.5A ·Collector-EmitterBreakdownVoltage :V(BR)CEO=30V(Min) ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforuseingeneralpurposeamplifierandswitching applications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SCR542D

MidiumPowerTransistors(30V/5A)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SCR542P

MidiumPowerTransistors(30V/5A)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SCR542PFRA

NPN5.0A30VMiddlePowerTransistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

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更多2SCR542DTL供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-15 14:00:00

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