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2SD1664

NPNSiliconGeneralPurposeTransistor

Features Powerdissipation PCM:0.5W(Tamb=25oC) Collectorcurrent ICM:1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operating&StoragejunctionTemperature Tj,Tstg:-55C~+150COO

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SD1664

MediumPowerTransistor

Features LowVCE(sat) Complimentsto2SB1132

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2SD1664

MediumPowerTransistor(32V,1A)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

2SD1664

MEDIUMPOWERNPNTRANSISTOR

MEDIUMPOWERNPNTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SD1664isanepitaxialplanartypeNPNsilicontransistor. FEATURES *LowVCE(SAT):VCE(SAT)=0.15V(Typ.) (IC/IB=500mA/50mA) *Complementthe2SB1132.

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SD1664

MediumPowerTransistor(32V,1A)

MediumPowerTransistor(32V,1A) Features 1)LowVCE(sat)=0.15V(Typ.) (lC/lB=500mA/50mA) 2)Compliments2SB1132/2SB1237

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

2SD1664

Plastic-EncapsulateTransistors

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰電子有限公司

2SD1664

TRANSISTOR(NPN)

FEATURES Powerdissipation PCM:0.5W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳實業(yè)深圳市永而佳實業(yè)有限公司

2SD1664

TRANSISTOR(NPN)

FEATURES LowVCE(sat),VCE(sat)=0.15V(typical).(IC/IB=500mA/50mA) Complementsto2SB1132

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽半導體深圳市金譽半導體股份有限公司

2SD1664

MEDIUMPOWERNPNTRANSISTOR

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SD1664

NPNEpitaxialPlanarTransistors

Features: *LowVCE(sat),VCE(sat)=0.15V(typical).(IC/IB=500mA/50mA)

WEITRON

Weitron Technology

2SD1664

MediumPowerTransistor(32V,1A)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

2SD1664

NPNTransistors

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風微電子廣東佑風微電子有限公司

2SD1664

SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司

2SD1664

MediumPowerTransistor

BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd.

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

2SD1664

NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistors

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

2SD1664

SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

2SD1664

MediumPowerTransistor(32V,1A)

FEATURES Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.15V(typ.) (IC/iB=500mA/50mA) PC=0.5W Complementthe2SB1132. APPLICATIONS NPNsilicontransistor.

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

2SD1664

GENERALPURPOSETRANSISTORNPNSILICONEPITAXIALMEDIUMPOWERTRANSISTOR

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技

2SD1664

Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.15V

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

2SD1664P

GENERALPURPOSETRANSISTORNPNSILICONEPITAXIALMEDIUMPOWERTRANSISTOR

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技

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