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2SD2114

TRANSISTOR (NPN)

FEATURES ?HighDCcurrentgain. ?Highemitter-basevoltage. ?LowVCE(sat).

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽半導(dǎo)體深圳市金譽半導(dǎo)體股份有限公司

2SD2114

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ?HighDCcurrentgain. ?Highemitter-basevoltage. ?LowVCE(sat).

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

2SD2114

Marking：BBV；Package：SOT-23；NPN Plastic Encapsulated Transistor

FEATURE ?HighDCCurrentGain. ?HighEmitter-BaseVoltage.VEBO=12V(Min.)

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SD2114

Marking：BBV；Package：SOT-23；NPN Plastic-Encapsulate Transistor

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SD2114K

High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A)

Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

2SD2114K

Power Transistor

Features HighDCcurrentgain. Highemitter-basevoltage. LowVCE(sat).

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2SD2114K

High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)

Features 1)HighDCcurrentgain.hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage.VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat).VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

2SD2114K

High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)

Features 1)HighDCcurrentgain.hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage.VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat).VCE(sat)=0.18V(Typ.)(IC/IB=500mA/20mA)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

2SD2114KS

High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)

Features 1)HighDCcurrentgain.hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage.VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat).VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

2SD2114KT146V

High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)

Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.)(IC/IB=500mA/20mA)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

晶體管資料

  • 型號：

    2SD2114K

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    表面帖裝型 （SMD）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    25V

  • 最大電流允許值：

    0.5A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    2SC3326,2SC3440,2SC3661,2SD596,2SD1328,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

    β>560

  • 圖片代號：

    H-15

  • vtest：

    25

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.5

  • wtest：

    0

詳細參數(shù)

  • 型號：

    2SD2114

  • 制造商：

    HTSEMI

  • 制造商全稱：

    Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

  • 功能描述：

    TRANSISTOR(NPN)

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
CJ
23+
SOT23
8500
原廠原裝正品
 詢價
ROHM
24+
SOT-23
99200
新進庫存/原裝
 詢價
ROHM
10+
SOT-23
2100
原裝現(xiàn)貨海量庫存歡迎咨詢
 詢價
ROHM
22+23+
Sot-23
30299
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨
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6000
原裝現(xiàn)貨假一賠十
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國產(chǎn)
23+
SOT-23
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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SOT23
25000
原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)惠,假一罰十
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1224+
SOT23
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SOT23
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更多2SD2114供應(yīng)商 更新時間2025-1-23 14:43:00

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