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2SD860

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=250V(Min) ?HighCollectorPowerDissipation APPLICATIONS ?DesignedforAFpoweramplifierapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    2SD860P

  • 功能描述:

    TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-220AB

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多2SD860P供應(yīng)商 更新時間2025-1-3 22:21:00