久热香蕉在线播放,欧精国精产品一区

首頁(yè) >2SJ32>規(guī)格書(shū)列表

零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
2SJ320	文件：82.94 Kbytes Page：3 Pages	Very High-Speed Switching Applications Features ?LowONresistance. ?Ultrahigh-speedswitching. ?Low-voltagedrive. ?Micalesspackagefacilitatingmounting.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO
2SJ324	文件：52.54 Kbytes Page：2 Pages	MOS Field Effect Power Transistors Features ●Lowon-stateresistance RDS(on)=0.18Ω(VGS=-10V,ID=-1A) RDS(on)=0.36Ω(VGS=-4V,ID=-0.8A) ●Built-inG-SGateProtectionDiode	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
2SJ324	文件：1.87885 Mbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ324isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedfor solenoid,motorandlampdriver. FEATURES ?LowOn-stateResistance RDS(on)=0.18ΩTYP.(VGS=?10V,ID=?1.0A) RDS(on)=0.36ΩTYP.(VGS=?4V,ID=?0.8A) ?LowCis	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SJ325	文件：53.08 Kbytes Page：2 Pages	MOS Field Effect Power Transistors Features ●Lowon-stateresistance RDS(on)=83mΩ(VGS=-10V,ID=-2A) RDS(on)=0.15Ω(VGS=-4V,ID=-1.6A) ●Built-inG-SGateProtectionDiode	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
2SJ325	文件：1.95175 Mbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ325isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedfor solenoid,motorandlampdriver. FEATURES ?LowOn-stateResistance RDS(on)=0.08ΩTYP.(VGS=?10V,ID=?2.0A) RDS(on)=0.15ΩTYP.(VGS=?4V,ID=?1.6A) ?LowCis	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SJ326	文件：1.8906 Mbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ326isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedfor solenoid,motorandlampdriver. FEATURES ?LowOn-stateResistance RDS(on)=0.28ΩTYP.(VGS=?10V,ID=?1.0A) RDS(on)=0.50ΩTYP.(VGS=?4V,ID=?0.8A) ?LowCis	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SJ327	文件：1.94074 Mbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ327isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedfor solenoid,motorandlampdriver. FEATURES ?LowOn-stateResistance RDS(on)=0.13ΩTYP.(VGS=?10V,ID=?2.0A) RDS(on)=0.21ΩTYP.(VGS=?4V,ID=?1.6A) ?LowCis	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SJ328	文件：572.53 Kbytes Page：8 Pages	CHANNEL MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SJ329	文件：570.2 Kbytes Page：8 Pages	CHANNEL MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR \| SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SJ324	文件：345.37 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
2SJ325	文件：386.58 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
2SJ326	文件：386.56 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
2SJ326	文件：976.45 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 4 0 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
2SJ326-Z	文件：386.56 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
2SJ327	文件：347.1 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
2SJ327	文件：976.18 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 4 0 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
2SJ327-Z	文件：347.1 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
2SJ327-Z-E1-AZ	文件：988.39 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
2SJ328	文件：346.81 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
2SJ328-Z	文件：346.81 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC

12 >>>

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
2SJ32
制造商：
SANYO
制造商全稱(chēng)：
Sanyo Semicon Device
功能描述：
Very High-Speed Switching Applications

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市匯萊威科技有限公司	2SJ320	SANYO	2024	TO-220F	13500	16余年資質(zhì) 絕對(duì)原盒原盤(pán)代理渠道更多數(shù)量	詢(xún)價(jià)
深圳市一線(xiàn)半導(dǎo)體有限公司	2SJ320	RENESAS	24+		60000		詢(xún)價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	2SJ320	SANYO/三洋	23+	TO-220F	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢(xún)價(jià)
深圳廊盛科技有限公司	2SJ320	SANYO/三洋	2022	TO-220F	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢(xún)	詢(xún)價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	2SJ320	SANY	22+	TO-220	6000	十年配單,只做原裝	詢(xún)價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	2SJ320	SAYON	23+	TO-220	13880	原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道?？商峁┐罅繋?kù)存,詳	詢(xún)價(jià)
深圳市旺財(cái)半導(dǎo)體有限公司	2SJ320		23+	TO	20000	正品原裝貨價(jià)格低	詢(xún)價(jià)
深圳市得捷芯城科技有限公司	2SJ320	SANYO/三洋	23+	NA/	1295	優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票	詢(xún)價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	2SJ320	SANY	22+	TO-220	25000	只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專(zhuān)注配單	詢(xún)價(jià)
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	2SJ320		24+	N/A	76000	一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇	詢(xún)價(jià)

更多2SJ32供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-20 10:12:00

詳細(xì)參數(shù)

相關(guān)規(guī)格書(shū)

相關(guān)庫(kù)存