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2SK3461	文件：1.41358 Mbytes Page：11 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching Features ?Lowon-resistance RDS(on)=4.3m?typ. ?4Vgatedrivedevice ?Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SK3461	文件：1.76321 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) 175 ?C MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
2SK3461L-E	文件：1.41358 Mbytes Page：11 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching Features ?Lowon-resistance RDS(on)=4.3m?typ. ?4Vgatedrivedevice ?Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SK3461-S	文件：254.66 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?PackagewithLowThermalResistance ?100%RgandUISTested	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
2SK3461STL-E	文件：1.41358 Mbytes Page：11 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching Features ?Lowon-resistance RDS(on)=4.3m?typ. ?4Vgatedrivedevice ?Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS

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更多2SK3461供應(yīng)商更新時間2025-1-5 19:10:00