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2SK3568

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SK3568

iscN-ChannelMOSFETTransistor

?FEATURES ?Drain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.52?@10V ?Lowleakagecurrent:IDSS

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SK3568

SwitchingRegulatorApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SK3568

SiliconNChannelMOSTypeSwitchingRegulatorApplications

SwitchingRegulatorApplications ?Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.4?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=8.5S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(VDS=500V) ?Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    2SK3568(Q

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 500V 12A Rdson 0.52 Ohm

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多2SK3568(Q供應(yīng)商 更新時間2025-1-6 10:20:00