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AP6679BMT	文件：110.94 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
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AP6679GH	文件：1.023 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
AP6679GH-HF	文件：1.023 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
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AP6679GI-HF	文件：159 Kbytes Page：5 Pages	LowGateCharge,SingleDriveRequirement	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
AP6679GJ	文件：217.14 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheTO-252packageiswidelypreferredforcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvoltageapplicationssuchasDC/DCconverters.Thethrough-holeversion(AP6679GJ)is availableforlow-profileapplications. ▼LowerOn-resistance ▼SimpleDriv	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
AP6679GJ-HF	文件：222.51 Kbytes Page：6 Pages	LowerOn-resistance,SimpleDriveRequirement Description TheTO-252packageiswidelypreferredforcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvoltageapplicationssuchasDC/DCconverters.Thethrough-holeversion(AP6679GJ)isavailableforlow-profileapplications. ▼LowerOn-resistance ▼SimpleDriveReq	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER

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