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FDS6679AZ

P-ChannelEnhancementModeMOSFET

FEATURES -30V/-15A Rosion)=6-8MQ(Max.)@Vg=-10V Roson=13MQ(Max)@V,,=-4.5V

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

FDS6679AZ

P-Channel30V(D-S)MOSFET

APPLICATIONS ?LoadSwitch ?NotebookAdaptorSwitch

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

FDS6679AZ-NL

P-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

FDS6679AZ-NL

P-channelEnhancementModePowerMOSFET

Features ?VDS=-30V,ID=-12A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

FDS6679Z

30VoltP-ChannelPowerTrenchMOSFET

ThisP-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers,andbatterychargers.TheseMOSFETsfeaturefasterswitchingandlowergatechargethanotherMOSFETswithcomparableRDS(O

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

GE6679

P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

Description TheGE6679providethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsandsuitedforlowvoltageapplicationssuchas

ETLE-Tech Electronics LTD

亞歷電子亞歷電子有限公司

GE6679

P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

Description TheGE6679providethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsandsuitedforlowvoltageapplicationssuchas

GTMGTM CORPORATION

勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司

GI6679

P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

GTMGTM CORPORATION

勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司

GJ6679

P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

GTMGTM CORPORATION

勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司

GSC6679

P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

GTMGTM CORPORATION

勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司

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更多6679SC供應(yīng)商 更新時間2025-4-23 14:10:00

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