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SCT070H120G3-7

Marking：70H120G3；Package：HPAK-7；Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mΩ typ., 30 A in an H2PAK-7 package

Features ?Veryfastandrobustintrinsicbodydiode ?VerylowRDS(on)overtheentiretemperaturerange ?Highspeedswitchingperformances ?Sourcesensingpinforincreasedefficiency Applications ?Switchingmodepowersupply ?Powersupplyforrenewableenergysystems ?DC-DCconve

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

SCT070H120G3AG

Marking：70H120G3AG；Package：H2PAK-7；Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mΩ typ., 30 A in an H2PAK-7 package

Features ?AEC-Q101qualified ?VerylowRDS(on)overtheentiretemperaturerange ?Highspeedswitchingperformances ?Veryfastandrobustintrinsicbodydiode ?Sourcesensingpinforincreasedefficiency Applications ?Maininverter(electrictraction) ?DC/DCconverterforEV/HEV

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供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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BUSSMANN
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SMD
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原裝進口現(xiàn)貨
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TO-251
5000
原廠授權代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道?？商峁┐罅繋齑?詳
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更多70H120G3供應商 更新時間2025-1-29 14:14:00

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