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70T631S10BCI8

HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE

Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:10/12ns(max.) ◆RapidWriteModesimplifieshigh-speedconsecutivewrite cycles ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansion

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70T631S10BCI8

Package:256-LBGA;包裝:托盤 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    70T631S10BCI8

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 雙端口,異步

  • 存儲(chǔ)容量:

    4.5Mb(256K x 18)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁:

    10ns

  • 電壓 - 供電:

    2.4V ~ 2.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    256-LBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    256-CABGA(17x17)

  • 描述:

    IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多70T631S10BCI8供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-24 13:02:00