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70T631S15BF

HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE

Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:10/12ns(max.) ◆RapidWriteModesimplifieshigh-speedconsecutivewrite cycles ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansion

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70T631S15BF

包裝：托盤 封裝/外殼：208-LFBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70T631S15BF8

HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE

Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:10/12ns(max.) ◆RapidWriteModesimplifieshigh-speedconsecutivewrite cycles ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansion

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70T631S15BFG

HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70T631S15BFG

ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70T631S15BFG8

HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70T631S15BFG8

ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70T631S15BFGI

HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70T631S15BFGI

ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70T631S15BFGI8

HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70T631S15BFGI8

ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70T631S15BF8

包裝：托盤 封裝/外殼：208-LFBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    70T631S15BF

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 雙端口，異步

  • 存儲容量：

    4.5Mb（256K x 18）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    15ns

  • 電壓 - 供電：

    2.4V ~ 2.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    208-LFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    208-CABGA（15x15）

  • 描述：

    IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多70T631S15BF供應(yīng)商 更新時間2024-11-7 15:52:00

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