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70V261S35PFG	文件：264.03 Kbytes Page：19 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:25/35ns(max.) –Industrial:25ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V261S Active:300mW(typ.) Standby:3.3mW(typ.) –IDT70V261L Active:300mW(typ.)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
70V261S35PFG	文件：338.47 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
70V261S35PFG	文件：190.58 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
70V261S35PFG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：托盤封裝/外殼：100-LQFP 類別：集成電路（IC）存儲器描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
70V261S35PFG8	文件：264.03 Kbytes Page：19 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:25/35ns(max.) –Industrial:25ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V261S Active:300mW(typ.) Standby:3.3mW(typ.) –IDT70V261L Active:300mW(typ.)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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70V261S35PFGI8	文件：190.58 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
70V261S35PFG8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：托盤封裝/外殼：100-LQFP 類別：集成電路（IC）存儲器描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

產品屬性

產品編號：
70V261S35PFG
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
托盤
存儲器類型：
易失
存儲器格式：
SRAM
技術：
SRAM - 雙端口，異步
存儲容量：
256Kb（16K x 16）
存儲器接口：
并聯
寫周期時間 - 字，頁：
35ns
電壓 - 供電：
3V ~ 3.6V
工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
100-LQFP
供應商器件封裝：
100-TQFP
描述：
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多70V261S35PFG供應商更新時間2024-12-23 10:00:00

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