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70V28L20PF

Package：100-LQFP；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFP

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

70V28L20PFG

HIGH-SPEED 3.3V 64K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM

Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:15/20ns(max.) –Industrial:20ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V28L Active:440mW(typ.) Standby:660μW(typ.) ◆Dualchipenablesallowfordepth

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70V28L20PFG8

HIGH-SPEED 3.3V 64K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM

Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:15/20ns(max.) –Industrial:20ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V28L Active:440mW(typ.) Standby:660μW(typ.) ◆Dualchipenablesallowfordepth

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70V28L20PFGI

HIGH-SPEED 3.3V 64K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM

Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:15/20ns(max.) –Industrial:20ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V28L Active:440mW(typ.) Standby:660μW(typ.) ◆Dualchipenablesallowfordepth

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70V28L20PFGI8

HIGH-SPEED 3.3V 64K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM

Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:15/20ns(max.) –Industrial:20ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V28L Active:440mW(typ.) Standby:660μW(typ.) ◆Dualchipenablesallowfordepth

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70V28L20PFG

HIGH-SPEED 3.3V 64K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V28L20PFG

HIGH-SPEED 3.3V 64K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V28L20PFG8

HIGH-SPEED 3.3V 64K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V28L20PFG8

HIGH-SPEED 3.3V 64K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V28L20PFGI

HIGH-SPEED 3.3V 64K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    70V28L20PF

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 雙端口，異步

  • 存儲容量：

    1Mb（64K x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    20ns

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    100-LQFP

  • 供應商器件封裝：

    100-TQFP（14x14）

  • 描述：

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFP

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多70V28L20PF供應商 更新時間2025-1-24 14:57:00

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