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70V3579S5BC	文件：506.88 Kbytes Page：18 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 32K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedclocktodataaccess –Commercial:4.2/5/6ns(max.) –Industrial:5ns(max) ◆Pipelinedoutputmode ◆Counterenableandresetfeatures ◆Dualchipenablesallowfordepthexpan	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
70V3579S5BC	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：托盤封裝/外殼：256-LBGA 類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
70V3579S5BC8	文件：506.88 Kbytes Page：18 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 32K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedclocktodataaccess –Commercial:4.2/5/6ns(max.) –Industrial:5ns(max) ◆Pipelinedoutputmode ◆Counterenableandresetfeatures ◆Dualchipenablesallowfordepthexpan	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
70V3579S5BCGI	文件：506.88 Kbytes Page：18 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 32K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedclocktodataaccess –Commercial:4.2/5/6ns(max.) –Industrial:5ns(max) ◆Pipelinedoutputmode ◆Counterenableandresetfeatures ◆Dualchipenablesallowfordepthexpan	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
70V3579S5BCI	文件：506.88 Kbytes Page：18 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 32K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedclocktodataaccess –Commercial:4.2/5/6ns(max.) –Industrial:5ns(max) ◆Pipelinedoutputmode ◆Counterenableandresetfeatures ◆Dualchipenablesallowfordepthexpan	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
70V3579S5BCI8	文件：506.88 Kbytes Page：18 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 32K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedclocktodataaccess –Commercial:4.2/5/6ns(max.) –Industrial:5ns(max) ◆Pipelinedoutputmode ◆Counterenableandresetfeatures ◆Dualchipenablesallowfordepthexpan	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
70V3579S5BCG	文件：184.83 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 32K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
70V3579S5BCG	文件：208.64 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-SPEED 3.3V SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
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70V3579S5BCGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：托盤封裝/外殼：256-LBGA 類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
70V3579S5BCI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：托盤封裝/外殼：256-LBGA 類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
70V3579S5BC
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
包裝：
托盤
存儲(chǔ)器類型：
易失
存儲(chǔ)器格式：
SRAM
技術(shù)：
SRAM - 雙端口，同步
存儲(chǔ)容量：
1.125Mb（32K x 36）
存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
電壓 - 供電：
3.15V ~ 3.45V
工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
256-LBGA
供應(yīng)商器件封裝：
256-CABGA（17x17）
描述：
IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市斌騰達(dá)科技有限公司	70V3579S5BC	IDT, Integrated Device Technol	21+	165-TBGA	5280	進(jìn)口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價(jià)格(誠信經(jīng)營	詢價(jià)
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更多70V3579S5BC供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-6 13:02:00

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