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70V639S12BF

Package：208-LFBGA；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 2.25MBIT PAR 208CABGA

Renesas Electronics America Inc

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70V639S12BFG

HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V639S12BFG

HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V639S12BFG8

HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

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Integrated Device Technology, Inc.

70V639S12BFG8

HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

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Integrated Device Technology, Inc.

70V639S12BFGI

HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

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Integrated Device Technology, Inc.

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IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V639S12BFGI

Package：208-LFBGA；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 2.25MBIT PAR 208FPBGA

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    70V639S12BF

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 雙端口，異步

  • 存儲容量：

    2.25Mb（128K x 18）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    12ns

  • 電壓 - 供電：

    3.15V ~ 3.45V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    208-LFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    208-CABGA（15x15）

  • 描述：

    IC SRAM 2.25MBIT PAR 208CABGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
RENESAS(瑞薩)/IDT
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更多70V639S12BF供應(yīng)商 更新時間2025-1-22 15:00:00

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