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71V124SA10TYG8

3.3V CMOS Static RAM1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout

Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆JEDECrevolutionarypinout(centerpower/GND)for reducednoise ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:10/12/15ns –Industrial:10/12/15ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆InputsandoutputsareLVTTL-compatible

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V124SA10TYG8

Package：32-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬）；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    71V124SA10TYG8

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲(chǔ)容量：

    1Mb（128K x 8）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁：

    10ns

  • 電壓 - 供電：

    3.15V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    32-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    32-SOJ

  • 描述：

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多71V124SA10TYG8供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-3 13:52:00

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