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71V256SA12PZGI

Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit)

Features ◆Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache ◆Commercial(0°Cto+70°C)andIndustrial(–40°Cto+85°C) temperaturerangeoptions ◆Fastaccesstimes: –CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆Lowstandbycurrent(maximum): –2mAfullstandby ◆Smallpackagesforspace-

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V256SA12PZGI

Package：28-TSSOP（0.465"，11.80mm 寬）；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V256SA12PZGI8

Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit)

Features ◆Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache ◆Commercial(0°Cto+70°C)andIndustrial(–40°Cto+85°C) temperaturerangeoptions ◆Fastaccesstimes: –CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆Lowstandbycurrent(maximum): –2mAfullstandby ◆Smallpackagesforspace-

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V256SA12PZGI8

Package：28-TSSOP（0.465"，11.80mm 寬）；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V256SA12YG

LowerPower3.3VCMOSFastSRAM256K(32Kx8-Bit)

Features ◆Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache ◆Commercial(0°Cto+70°C)andIndustrial(–40°Cto+85°C) temperaturerangeoptions ◆Fastaccesstimes: –CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆Lowstandbycurrent(maximum): –2mAfullstandby ◆Smallpackagesforspace-

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V256SA12YGI

LowerPower3.3VCMOSFastSRAM256K(32Kx8-Bit)

Features ◆Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache ◆Commercial(0°Cto+70°C)andIndustrial(–40°Cto+85°C) temperaturerangeoptions ◆Fastaccesstimes: –CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆Lowstandbycurrent(maximum): –2mAfullstandby ◆Smallpackagesforspace-

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V256SA12YPZG

LowerPower3.3VCMOSFastSRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V256SA12YPZGI

LowerPower3.3VCMOSFastSRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V256SA12PZ

LOWPOWER3.3VCMOSFASTSRAM256K(32Kx8-BIT)

DESCRIPTION TheIDT71V256SAisa262,144-bithigh-speedstaticRAMorganizedas32Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES ?Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache ?Commercial(0°to70°C)andIndustrial(-40°to85°C)

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V256SA12TP

LOWPOWER3.3VCMOSFASTSRAM256K(32Kx8-BIT)

DESCRIPTION TheIDT71V256SAisa262,144-bithigh-speedstaticRAMorganizedas32Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES ?Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache ?Commercial(0°to70°C)andIndustrial(-40°to85°C)

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

產品屬性

  • 產品編號：

    71V256SA12PZGI

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    256Kb（32K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    12ns

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    28-TSSOP（0.465"，11.80mm 寬）

  • 供應商器件封裝：

    28-TSOP

  • 描述：

    IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IDT, Integrated Device Technol
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更多71V256SA12PZGI供應商 更新時間2025-3-3 14:57:00

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