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71V124SA15TYG8

3.3V CMOS Static RAM1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout

Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆JEDECrevolutionarypinout(centerpower/GND)for reducednoise ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:10/12/15ns –Industrial:10/12/15ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆InputsandoutputsareLVTTL-compatible

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V124SA15TYG8

包裝:托盤 封裝/外殼:32-BSOJ(0.300",7.62mm 寬) 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

Renesas Electronics America Inc

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Renesas Electronics America Inc

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    71V124SA15TYG8

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 異步

  • 存儲(chǔ)容量:

    1Mb(128K x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁(yè):

    15ns

  • 電壓 - 供電:

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    32-BSOJ(0.300",7.62mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    32-SOJ

  • 描述:

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多71V124SA15TYG8供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-29 10:00:00