一色屋精品视频在线网站,久久这里精品青草免费,日韩人妻无码影片

首頁 >71V35761SA200BQGI>規(guī)格書列表

零件編號(hào)	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
71V35761SA200BQGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-TBGA；包裝：托盤類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
71V35761SA200BQGI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-TBGA；包裝：托盤類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
IDT71V35761SA200BG	文件：282.83 Kbytes Page：22 Pages	128Kx36,256Kx183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect Description TheIDT71V35761/781arehigh-speedSRAMsorganizedas128Kx36/256Kx18.TheIDT71V35761/781SRAMscontainwrite,data,addressandcontrolregisters.InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendofthewritec	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71V35761SA200BGG	文件：972.44 Kbytes Page：21 Pages	3.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71V35761SA200BGGI	文件：972.44 Kbytes Page：21 Pages	3.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71V35761SA200BGI	文件：282.83 Kbytes Page：22 Pages	128Kx36,256Kx183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect Description TheIDT71V35761/781arehigh-speedSRAMsorganizedas128Kx36/256Kx18.TheIDT71V35761/781SRAMscontainwrite,data,addressandcontrolregisters.InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendofthewritec	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71V35761SA200BQ	文件：282.83 Kbytes Page：22 Pages	128Kx36,256Kx183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect Description TheIDT71V35761/781arehigh-speedSRAMsorganizedas128Kx36/256Kx18.TheIDT71V35761/781SRAMscontainwrite,data,addressandcontrolregisters.InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendofthewritec	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71V35761SA200BQG	文件：972.44 Kbytes Page：21 Pages	3.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71V35761SA200BQGI	文件：972.44 Kbytes Page：21 Pages	3.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71V35761SA200BQI	文件：282.83 Kbytes Page：22 Pages	128Kx36,256Kx183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect Description TheIDT71V35761/781arehigh-speedSRAMsorganizedas128Kx36/256Kx18.TheIDT71V35761/781SRAMscontainwrite,data,addressandcontrolregisters.InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendofthewritec	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71V35761SA200PF	文件：282.83 Kbytes Page：22 Pages	128Kx36,256Kx183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect Description TheIDT71V35761/781arehigh-speedSRAMsorganizedas128Kx36/256Kx18.TheIDT71V35761/781SRAMscontainwrite,data,addressandcontrolregisters.InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendofthewritec	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71V35761SA200PFG	文件：972.44 Kbytes Page：21 Pages	3.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71V35761SA200PFGI	文件：972.44 Kbytes Page：21 Pages	3.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71V35761SA200PFI	文件：282.83 Kbytes Page：22 Pages	128Kx36,256Kx183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect Description TheIDT71V35761/781arehigh-speedSRAMsorganizedas128Kx36/256Kx18.TheIDT71V35761/781SRAMscontainwrite,data,addressandcontrolregisters.InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendofthewritec	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
71V35761SA200BQGI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
包裝：
托盤
存儲(chǔ)器類型：
易失
存儲(chǔ)器格式：
SRAM
技術(shù)：
SRAM - 同步，SDR
存儲(chǔ)容量：
4.5Mb（128K x 36）
存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
電壓 - 供電：
3.135V ~ 3.465V
工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
165-TBGA
供應(yīng)商器件封裝：
165-CABGA（13x15）
描述：
IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市斌騰達(dá)科技有限公司	71V35761SA200BQGI	IDT, Integrated Device Technol	21+	484-FBGA	5280	進(jìn)口原裝!長期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢價(jià)格(誠信經(jīng)營	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	71V35761SA200BQGI	IDT, Integrated Device Technol	24+	165-CABGA(13x15)	56200	一級(jí)代理/放心采購	詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	71V35761SA200BQGI	IDT	20+	BGA-165	1001	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!	詢價(jià)
深圳市諾美思科技有限公司	71V35761SA200BQGI	Renesas Electronics Corporatio	23+/24+	165-TBGA	8600	只供原裝進(jìn)口公司現(xiàn)貨+可訂貨	詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	71V35761SA200BQGI	Renesas Electronics America In	24+	165-TBGA	9350	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠心經(jīng)營免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)
深圳市博正芯科技有限公司	71V35761YSA200BG	IDT, Integrated Device Technol	21+	NA	11200	正品專賣,進(jìn)口原裝深圳現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市鵬順微電子科技有限公司	71V3576S133BQI	Integrated Device Technology	2022+	原廠原包裝	8600	全新原裝支持表配單中國著名電子元器件獨(dú)立分銷	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	71V3576S133PF	IDT	24+	QFP	303		詢價(jià)
深圳市云迪科技有限公司	71V3576S133PF	IDT	22+	QFP	10000	原裝正品優(yōu)勢現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價(jià)
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	71V3576S133PF		24+	N/A	48000	一級(jí)代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇	詢價(jià)

更多71V35761SA200BQGI供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-17 8:02:00

客戶服務(wù) 網(wǎng)站合作

Tel：+86-755-8246-9263
Email：114ic＠114ic.com
投訴建議：web＠114ic.com

Copyright ? 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粵ICP備05011613號(hào) 粵公網(wǎng)安備 44030402000933號(hào)