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71V416L12YG

3.3V CMOS Static RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V416L12YG

Package：44-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V416L12YG8

3.3V CMOS Static RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V416L12YGI

3.3V CMOS Static RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V416L12YGI8

3.3V CMOS Static RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V416L12YGI

Package：44-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V416L12YGI8

Package：44-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

IDT71V416L12BEG

3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit)

Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.Itisfabricatedusinghigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V416L12BEGI

3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit)

Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.Itisfabricatedusinghigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V416L12PHG

3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit)

Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.Itisfabricatedusinghigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    71V416L12YG

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    4Mb（256K x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁：

    12ns

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    44-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    44-SOJ

  • 描述：

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
IDT, Integrated Device Technol
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更多71V416L12YG供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-5 10:03:00

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