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71V416S12BEG

3.3V CMOS Static RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V416S12BEG

Package：48-TFBGA；包裝：托盤(pán) 類(lèi)別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V416S12BEG8

3.3V CMOS Static RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V416S12BEGI

3.3V CMOS Static RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V416S12BEGI8

3.3V CMOS Static RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V416S12BEG8

Package：48-TFBGA；包裝：托盤(pán) 類(lèi)別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V416S12PHG

3.3VCMOSStaticRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V416S12PHGI

3.3VCMOSStaticRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V416S12YG

3.3VCMOSStaticRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V416S12YGI

3.3VCMOSStaticRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    71V416S12BEG

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類(lèi)別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    托盤(pán)

  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲(chǔ)容量：

    4Mb（256K x 16）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：

    12ns

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    48-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    48-CABGA（9x9）

  • 描述：

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
RENESAS(瑞薩)/IDT
2022+原裝正品
CABGA-48(9x9)
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支持工廠BOM表配單 公司只做原裝正品貨
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IDT, Integrated Device Technol
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IDT, Integrated Device Technol
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48-CABGA(9x9)
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IDT
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RENESAS(瑞薩)/IDT
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CABGA-48(9x9)
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更多71V416S12BEG供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-30 8:24:00

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