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71V67703S85BQ	文件：301.85 Kbytes Page：23 Pages	256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportsfastaccesstimes: –7.5nsupto117MHzclockfrequency –8.0nsupto100MHzclockfrequency –8.5nsupto87MHzclockfrequency ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritec	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V67703S85BQ	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：托盤封裝/外殼：165-TBGA 類別：集成電路（IC）存儲器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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71V67703S85BQG8	文件：301.85 Kbytes Page：23 Pages	256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportsfastaccesstimes: –7.5nsupto117MHzclockfrequency –8.0nsupto100MHzclockfrequency –8.5nsupto87MHzclockfrequency ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritec	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
71V67703S85BQ
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
托盤
存儲器類型：
易失
存儲器格式：
SRAM
技術(shù)：
SRAM - 同步，SDR
存儲容量：
9Mb（256K x 36）
存儲器接口：
并聯(lián)
電壓 - 供電：
3.135V ~ 3.465V
工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
165-TBGA
供應(yīng)商器件封裝：
165-CABGA（13x15）
描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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