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GAN7R0-150LBE

Marking:7R0ELBE;Package:SOT8073-1;150 V, 7 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a 2.2 mm x 3.2 mm x 0.774 mm Land Grid Array (LGA) package

1.Generaldescription TheGAN7R0-150LBEisageneralpurpose150V,7mΩGalliumNitride(GaN)FETinaLandGrid Array(LGA)package.Itisanormally-offe-modedeviceofferingsuperiorperformance. 2.Featuresandbenefits ?Enhancementmode-normally-offpowerswitch ?Ultrahighfreque

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