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BD80GA3MEFJ-ME2

Marking：80GA3M；Package：HTSOP-J8；Automotive 300mA Variable Output LDO Regulator

●Features ?Highaccuracyreferencevoltagecircuit ?Built-inOverCurrentProtectioncircuit(OCP) ?Built-inThermalShutDowncircuit(TSD) ?Withshutdownswitch ?AEC-Q100Qualified

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

BD80GA3VEFJ-ME2

Marking：80GA3V；Package：HTSOP-J8；Automotive 300mA Variable Output LDO Regulator

●Features ?Highaccuracyreferencevoltagecircuit ?Built-inOverCurrentProtectioncircuit(OCP) ?Built-inThermalShutDowncircuit(TSD) ?Withshutdownswitch ?AEC-Q100Qualified

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

BD80GA5MEFJ-ME2

Marking：80GA5M；Package：HTSOP-J8；Automotive 0.5A Variable Output LDO Regulator

●Features ?Highaccuracyreferencevoltagecircuit ?Built-inOverCurrentProtectioncircuit(OCP) ?Built-inThermalShutDowncircuit(TSD) ?Withshutdownswitch ?AEC-Q100Qualified

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

BD80GA5VEFJ-ME2

Marking：80GA5V；Package：HTSOP-J8；Automotive 0.5A Variable Output LDO Regulator

●Features ?Highaccuracyreferencevoltagecircuit ?Built-inOverCurrentProtectioncircuit(OCP) ?Built-inThermalShutDowncircuit(TSD) ?Withshutdownswitch ?AEC-Q100Qualified

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

BD80GC0MEFJ-ME2

Marking：80GC0M；Package：HTSOP-J8；Automotive 1.0A Variable Output LDO Regulator

●Features ?Highaccuracyreferencevoltagecircuit ?Built-inOverCurrentProtectioncircuit(OCP) ?Built-inThermalShutDowncircuit(TSD) ?Withshutdownswitch ?AEC-Q100Qualified

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

BD80GC0VEFJ-ME2

Marking：80GC0V；Package：HTSOP-J8；Automotive 1.0A Variable Output LDO Regulator

●Features ?Highaccuracyreferencevoltagecircuit ?Built-inOverCurrentProtectioncircuit(OCP) ?Built-inThermalShutDowncircuit(TSD) ?Withshutdownswitch ?AEC-Q100Qualified

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

FDMT80060DC

Marking：80060；Package：TDFNW8；N-Channel Power MOSFET

GeneralDescription ThisN?ChannelMOSFETisproducedusingonsemi’sadvanced POWERTRENCHprocess.Advancementsinbothsiliconand DUALCOOLpackagetechnologieshavebeencombinedtooffer thelowestrDS(on)whilemaintainingexcellentswitchingperformance byextremelylowJunction?to?Ambi

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

IPA80R1K4P7

Marking：80R1K4P7；Package：PG-TO220FullPAK；800V CoolMOS? P7 Power Transistor

Features ?Best-in-classFOMRDS(on)*Eoss;reducedQg,Ciss,andCoss ?Best-in-classDPAKRDS(on) ?Best-in-classV(GS)thof3VandsmallestV(GS)thvariationof±0.5V ?IntegratedZenerDiodeESDprotection ?Best-in-classCoolMOS?qualityandreliability;qualifiedforindustrial gradeapplicationsaccordingtoJEDEC(J-STD20a

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD80P03P4L-07-TP

Marking：80P03P；Package：TO-252；P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features| ?Veo=30V804| ?Ros=8mO@Ves=10V ?ROSOVS1IMO@Vos=45V

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

IPD80R450P7

Marking：80R450P7；Package：PG-TO252；800V CoolMOS? P7 Power Transistor

Features ?Best-in-classFOMRDS(on)*Eoss;reducedQg,Ciss,andCoss ?Best-in-classDPAKRDS(on) ?Best-in-classV(GS)thof3VandsmallestV(GS)thvariationof±0.5V ?IntegratedZenerDiodeESDprotection ?Best-in-classCoolMOS?qualityandreliability;qualifiedforindustrial gradeapplicationsaccordingtoJEDEC(J-STD20a

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

替換型號

晶體管資料

  • 型號：

    8003BB

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

  • 封裝形式：

  • 極限工作電壓：

    250V

  • 最大電流允許值：

    0.1A

  • 最大工作頻率：

    130MHZ

  • 引腳數(shù)：

  • 可代換的型號：

    BF337,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    NO

  • vtest：

    250

  • htest：

    130000000

  • atest：

    0.1

  • wtest：

    0

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    80

  • 制造商：

    Keystone Electronics

  • 類別：

    電池產(chǎn)品 > 電池座，電池夾，電池觸頭

  • 包裝：

    散裝

  • 電池類型，功能：

    9V，座

  • 樣式：

    固定夾（無觸點(diǎn)）

  • 電池尺寸：

    9V

  • 電池數(shù)：

    1

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 描述：

    BATT HOLDER CLIP 9V 1 CELL

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多80供應(yīng)商 更新時間2025-4-23 9:50:00

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