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IPI80CN10NG

Marking：80CN10N；Package：PG-TO262-3；N-channel, normal level

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchr

InfineonInfineon Technologies AG

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IPLK80R1K2P7

Marking：80R1K2P7；Package：SMD；800V CoolMOSa P7 Power Device

Features ?Best-in-classFOMRDS(on)*Eoss;reducedQg,Ciss,andCoss ?Best-in-classDPAKRDS(on) ?Best-in-classV(GS)thof3VandsmallestV(GS)thvariationof±0.5V ?IntegratedZenerDiodeESDprotection ?Fullyoptimizedportfolio

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IPLK80R1K4P7

Marking：80R1K4P7；Package：ThinPAK5x6SMD；800V CoolMOS? P7 Power Device

MOSFET 800VCoolMOSaP7PowerDevice Thelatest800VCoolMOS?P7seriessetsanewbenchmarkin800V superjunctiontechnologiesandcombinesbest-in-classperformancewith stateoftheartease-of-use,resultingfromInfineon’sover18years pioneeringsuperjunctiontechnologyinnovation.

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IPLK80R2K0P7

Marking：80R2K0P7；Package：SMD；800V CoolMOSa P7 Power Device

Features ?Best-in-classFOMRDS(on)*Eoss;reducedQg,Ciss,andCoss ?Best-in-classDPAKRDS(on) ?Best-in-classV(GS)thof3VandsmallestV(GS)thvariationof±0.5V ?IntegratedZenerDiodeESDprotection ?Fullyoptimizedportfolio

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IPLK80R600P7

Marking：80R600P7；Package：ThinPAK5x6SMD；MOSFET 800V CoolMOS? P7 Power Device

1 Thelatest800VCoolMOS?P7seriessetsanewbenchmarkin800V superjunctiontechnologiesandcombinesbest-in-classperformancewith stateoftheartease-of-use,resultingfromInfineon’sover18years pioneeringsuperjunctiontechnologyinnovation. Features ?Best-in-classFOMRDS(on

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IPLK80R750P7

Marking：80R750P7；Package：SMD；800V CoolMOSa P7 Power Device

Features ?Best-in-classFOMRDS(on)*Eoss;reducedQg,Ciss,andCoss ?Best-in-classDPAKRDS(on) ?Best-in-classV(GS)thof3VandsmallestV(GS)thvariationof±0.5V ?IntegratedZenerDiodeESDprotection ?Fullyoptimizedportfolio

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IPLK80R900P7

Marking：80R900P7；Package：SMD；800V CoolMOSa P7 Power Device

Features ?Best-in-classFOMRDS(on)*Eoss;reducedQg,Ciss,andCoss ?Best-in-classDPAKRDS(on) ?Best-in-classV(GS)thof3VandsmallestV(GS)thvariationof±0.5V ?IntegratedZenerDiodeESDprotection ?Fullyoptimizedportfolio

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IPN80R2K0P7

Marking：80R2K0；Package：PG-SOT223；800V CoolMOS? P7 Power Transistor

800VCoolMOSaP7PowerTransistor Potentialapplications ??RecommendedforhardandsoftswitchingflybacktopologiesforLED ??Lighting,lowpowerChargersandAdapters,Audio,AUXpowerand ??Industrialpower.AlsosuitableforPFCstageinConsumerapplications ??andSolar.

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IPP80CN10NG

Marking：80CN10N；Package：PG-TO220-3；N-channel, normal level

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchr

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IPU80R4K5P7

Marking：80R4K5P7；Package：PG-TO251；800V CoolMOS? P7 Power Transistor

Features ?Best-in-classFOMRDS(on)*Eoss;reducedQg,Ciss,andCoss ?Best-in-classDPAKRDS(on) ?Best-in-classV(GS)thof3VandsmallestV(GS)thvariationof±0.5V ?IntegratedZenerDiodeESDprotection ?Best-in-classCoolMOS?qualityandreliability;qualifiedforindustrial gradeapplicationsaccordingtoJEDEC(J-STD20a

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替換型號(hào)

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    8003BB

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

  • 封裝形式：

  • 極限工作電壓：

    250V

  • 最大電流允許值：

    0.1A

  • 最大工作頻率：

    130MHZ

  • 引腳數(shù)：

  • 可代換的型號(hào)：

    BF337,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    NO

  • vtest：

    250

  • htest：

    130000000

  • atest：

    0.1

  • wtest：

    0

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    80

  • 制造商：

    Keystone Electronics

  • 類別：

    電池產(chǎn)品 > 電池座，電池夾，電池觸頭

  • 包裝：

    散裝

  • 電池類型，功能：

    9V，座

  • 樣式：

    固定夾（無(wú)觸點(diǎn)）

  • 電池尺寸：

    9V

  • 電池?cái)?shù)：

    1

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 描述：

    BATT HOLDER CLIP 9V 1 CELL

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多80供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-23 9:50:00

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