A2G26H281-04SR3_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-射頻-恩智浦

原廠料號：A2G26H281-04SR3品牌：NXP USA Inc.

資料說明：AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

A2G26H281-04SR3是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商NXP/恩智浦生產(chǎn)封裝NI-780S-4L的A2G26H281-04SR3晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

• 芯片型號：

  a2g26h281-04sr3

• 規(guī)格書：

  原廠下載 下載

• 企業(yè)簡稱：

  NXP【恩智浦】詳情

• 廠商全稱：

  NXP Semiconductors

• 中文名稱：

  恩智浦半導(dǎo)體公司

• 資料說明：

  AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR